Transistor do MOSFET do transistor de poder IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Aplicações
• Conversores de alta frequência de DC-DC
• Sem chumbo
Descrição
A família do MOSFET do IR de MOSFETs do poder utiliza os processos provados do silicone que oferecem a desenhistas um portfólio largo de
dispositivos para apoiar várias aplicações tais como os motores da C.C., os inversores, o SMPS, a iluminação, os interruptores da carga assim como a bateria
aplicações postas. Os dispositivos estão disponíveis em uma variedade de pacotes de superfície da montagem e do através-furo com indústria
pegadas padrão para a facilidade do projeto.
Características
• Baixa carga do Porta-à-dreno para reduzir-se comutar perdas
• Capacidade inteiramente caracterizada que inclui COSS eficaz para simplificar o projeto, (veja o App. Nota AN1001)
• Tensão e corrente inteiramente caracterizadas de avalancha
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
Infineon | |
Categoria de produto: | MOSFET |
Si | |
Através do furo | |
TO-247-3 | |
N-canal | |
1 canal | |
200 V | |
94 A | |
23 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
1,8 V | |
180 nC | |
- 55 C | |
+ 175 C | |
580 W | |
Tubo | |
Configuração: | Único |
Tempo de queda: | 79 ns |
Transcondutância dianteira - minuto: | 39 S |
Altura: | 20,7 milímetros |
Comprimento: | 15,87 milímetros |
Tempo de elevação: | 160 ns |
Guia de troca
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