Transistor de poder superior de MOhms do N-canal 56 do transistor de poder 59A de FDA59N30 Pnp 300V
Descrição
Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchilds proprietário, planar
listra, tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, fornece
desempenho de comutação superior, e para suportar o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutação. Estes
os dispositivos são bem - serido para a correção comutada eficiente alta das fontes de alimentação do modo e de fator de poder ativo.

Características
RDS (sobre)= 56mΩ (máximo) @ VGS= 10V, ID= 29.5A
Baixa carga da porta (tipo. 77nC)
Baixo Crss(Tipo. 80pF)
a avalancha 100% testou
Aplicações
TEVÊ DE PDP
FONTE DE ALIMENTAÇÃO DE AC-DC
Especificações
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Si | |
| Através do furo | |
| TO-3PN-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 300 V | |
| 59 A | |
| 56 mOhms | |
| - 30 V, + 30 V | |
| 3 V | |
| 100 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 500 W | |
| Realce | |
| Tubo | |
| Configuração: | Único |
| Tempo de queda: | 200 ns |
| Altura: | 20,1 milímetros |
| Comprimento: | 16,2 milímetros |
| Tempo de elevação: | 575 ns |
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