Transistor de poder do MOSFET Npn do poder dos transistor de poder 55V de Npn do silicone de IRF3205PBF 110A 8.0mΩ
Descrição
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir
extremamente - baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e ruggedized
o projeto do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um extremamente eficiente
e dispositivo seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a
aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem ao seu largo
aceitação durante todo a indústria
Características
Especificações
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Categoria de produto: | MOSFET |
| Si | |
| Através do furo | |
| TO-220-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 55 V | |
| 110 A | |
| 8 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2 V | |
| 97,3 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 150 W | |
| Realce | |
| Tubo | |
| Configuração: | Único |
| Altura: | 15,65 milímetros |
| Comprimento: | 10 milímetros |
Guia de troca
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