Mosfet do canal dos transistor de poder IRFS4227TRLPBF de Npn do silicone de Infineon 200V 62A 26mOhm 70nC Qg N
Aplicações
• Fases duramente de comutação de PWM e fases de comutação ressonantes
• Adaptador, tevê de LCD&PDP, iluminação
Descrição
Este MOSFET do poder de HEXFET® é projetado especificamente para aplicações do interruptor Sustain, da recuperação de energia & da passagem nos painéis de exposição do plasma. Este MOSFET utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone e a baixa avaliação de EPULSE. Características adicionais destas temperatura de junção de funcionamento de MOSFETare 175°C e capacidade repetitiva alta da corrente de pico. Estas características combinam para fazer a este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para PDP que conduz aplicações
Características
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
Si | |
SMD/SMT | |
D2PAK-3 | |
N-canal | |
1 canal | |
200 V | |
62 A | |
26 mOhms | |
- 30 V, + 30 V | |
5 V | |
70 nC | |
- 40 C | |
+ 175 C | |
330 W | |
Carretel | |
Configuração: | Único |
Tempo de queda: | 31 ns |
Transcondutância dianteira - minuto: | 49 S |
Altura: | 2,3 milímetros |
Comprimento: | 6,5 milímetros |
Tipo de produto: | MOSFET |
Tempo de elevação: | 20 ns |
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