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amplificador de potência do mosfet

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circuito do amplificador do mosfet

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mosfet da alta tensão

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motorista do mosfet do poder

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dissipador de calor do mosfet

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mosfet de toshiba

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mosfet do poder

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mosfet do canal de p

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mosfet do poder do hexfet

11,204

Encontre o que procura fora de 11,204 de alta qualidade mosfet do poder do hexfet de fornecedores da China

Angel Technology Electronics Co

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Capacidade da fonte：500000PCS

MOQ：10pieces

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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

IRF1407 75V MOSFET de alimentação HEXFET de canal N único em um chip de substituição da unidade de alimentação TO-220AB

Number modelo：IRF1407

Lugar de origem：Guangdong, China

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

AUIRF8739L2TR Chipe de circuito integrado 40V Transistores MOSFET de potência de canal N único automotivo

Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho

MOQ：10

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

MOSFET do poder dos transistor de poder 55V de Npn do silicone de IRF3205PBF 110A 8.0mΩ

Capacidade da fonte：50000pcs pela boca

MOQ：50pcs

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MOSFET industrial de alta potência Dissipação de calor MOSFET de óxido metálico

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

MOSFET industrial de alta potência Dissipação de calor MOSFET de óxido metálico

Local de origem：China

Quantidade mínima de encomenda：De acordo com o seu pedido

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Inversor solar MOSFET de alta potência Padrão militar Frequência alta estável

Local de origem：Guangdong, NC

Detalhes da embalagem：GB+Master Cartão

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JUYI Tech JY09M N Enhancement Channel MOS IC TO-220 70V90A Potência Mosfet

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Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

JUYI Tech JY09M N Enhancement Channel MOS IC TO-220 70V90A Potência Mosfet

Número do modelo：JY09M

Local de origem：China

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Muz Tech Co.,Ltd

Motor Driver VNH7100BASTR Chip de Gerenciamento de Potência 4V - 28V 16SO com PWM e MOSFET de Potência

Local de origem：China, NC

Número do modelo：VNH7100BASTR

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IRFB4115PBF IC programável Chip MOSFET IC Single N Channel HEXFET Potência

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

IRFB4115PBF IC programável Chip MOSFET IC Single N Channel HEXFET Potência

Número do modelo：IRFB4115PBF

Tensão de programação：2.7V a 5.5V

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Shenzhen Res Electronics Limited

Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG

Capacidade da fonte：mês 10000pcs/one

MOQ：discutível

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Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

Controle ótimo de alta velocidade de IC JY21L do motorista da porta para o MOSFET e o IGBT do poder

Capacidade da fonte：100000 PCS pelo mês

MOQ：5pcs

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

BLDC viaja de automóvel Mosfet IPB017N10N5 Infineon do poder do transistor de efeito de campo

Capacidade da fonte：Quantidade disponível 41128 peças

MOQ：Negociável

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Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

Componentes Eletrônicos 75V Driver Mosfet IC IRF1407PBF

Número do modelo：IRF1407PBF

Lugar de origem：Original

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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Modo de aumento de canal N Potência MOSFET JY8N5M TO252 Tubos de efeito de campo de alta potência 500V 4A

Capacidade da fonte：10000pcs pelo mês

MOQ：50pcs (amostra disponível)

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

IRFP260N TO-247AC IRFP260 N n-canal mosfet 200V 50A TO247AC IRFP260NPBF Potência MOSFET IRFP 260N IR FP260N 260

Fabricante Part Number：IRFP260N TO-247AC IRFP260 N MOSFET N-CH 200V 50A T

Tipo：circuito integrado

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XIXIAN FORWARD TECHNOLOGY LTD

Tensão de divisão 30 V da Dreno-fonte do MOSFET da aviação PartsIRLML2803TRPBF

Number modelo：IRFL4315TRPBF

MOQ：PCes 1

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

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Wisdtech Technology Co.,Limited

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

Número do modelo：D2085UK

Local de origem：Reino Unido

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

A gestão durável CI LNK364PN do poder 132kHz COMUTA integrações do poder do FLYBACK 8DIP

Capacidade da fonte：no estoque

MOQ：1

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Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

SOT89-3 HT7550-1 100mA Baixa Potência LDO 24V Em Equipamentos Alimentados por Bateria

Número do modelo：HT7550 7530

Local de origem：Dongguan China

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IRF1407 75V MOSFET de alimentação HEXFET de canal N único em um chip de substituição da unidade de alimentação TO-220AB

AUIRF8739L2TR Chipe de circuito integrado 40V Transistores MOSFET de potência de canal N único automotivo

MOSFET do poder dos transistor de poder 55V de Npn do silicone de IRF3205PBF 110A 8.0mΩ

MOSFET industrial de alta potência Dissipação de calor MOSFET de óxido metálico

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JUYI Tech JY09M N Enhancement Channel MOS IC TO-220 70V90A Potência Mosfet

Motor Driver VNH7100BASTR Chip de Gerenciamento de Potência 4V - 28V 16SO com PWM e MOSFET de Potência

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Mosfet 20V 9A 8WDFN do poder do canal dos FETs único P da microplaqueta de IC do transistor de NTTFS3A08PZTAG

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BLDC viaja de automóvel Mosfet IPB017N10N5 Infineon do poder do transistor de efeito de campo

Componentes Eletrônicos 75V Driver Mosfet IC IRF1407PBF

Modo de aumento de canal N Potência MOSFET JY8N5M TO252 Tubos de efeito de campo de alta potência 500V 4A

IRFP260N TO-247AC IRFP260 N n-canal mosfet 200V 50A TO247AC IRFP260NPBF Potência MOSFET IRFP 260N IR FP260N 260

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

A gestão durável CI LNK364PN do poder 132kHz COMUTA integrações do poder do FLYBACK 8DIP

SOT89-3 HT7550-1 100mA Baixa Potência LDO 24V Em Equipamentos Alimentados por Bateria

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