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PRODUTOS CONEXOS

folha de dados do transistor

 (151)

poder do transistor

 (11,734)

transistor de poder do rf

 (36,561)

folha de dados da exposição do lcd

 (98,154)

folha de dados conduzida

 (1,941)

o ir conduziu a folha de dados

 (13,324)

transistor de poder do npn

 (19,701)

transistor de poder do pnp

 (17,611)

componente da folha de dados

 (315)

transistor do transistor

 (60,855)

diodo da folha de dados

 (834)

transistor de poder

 (11,734)

transistor de poder médio

 (24,152)

folha de dados técnica

 (4,272)

Ficha de dados de exibição de LED de 7 segmentos

 (7)

Resistência de folha de dados

 (61)

Ficha de dados ddr

 (6)

Ficha de dados do relé

 (352)

Transistores de alta potência

 (321,439)

Ficha de dados do termistor

 (21)

fonte de alimentação de transistores

 (160,351)

Ficha de dados do transformador

 (173)

Folha de dados do molex

 (150)

Ficha de dados do diodo zener

 (9,377)

Ficha de dados

 (4,058)

Ficha de dados do transistor de potência

14,690
Encontre o que procura fora de 14,690 de alta qualidade Ficha de dados do transistor de potência de fornecedores da China
PRODUTOS CONEXOS
Transistor de poder SGL160N60UFD da série IGBT de UFD 600V 160A 250W
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Transistor de poder SGL160N60UFD da série IGBT de UFD 600V 160A 250W
Capacidade da fonte：20000pcs pelo mês
MOQ：10pcs
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Microplaqueta 18A 600V FQPF18N60C de IC do transistor de poder do MOSFET final
Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Microplaqueta 18A 600V FQPF18N60C de IC do transistor de poder do MOSFET final
Number modelo：FQPF18N60C
Número da peça.：FQPF18N60C
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microplaqueta do circuito integrado do transistor de poder 8-PowerVDFN de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

microplaqueta do circuito integrado do transistor de poder 8-PowerVDFN de 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6
Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho
MOQ：10
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Pacote bipolar do transistor de poder NPN do Triode TIP137 100V 6A TO-220-3
vídeo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Pacote bipolar do transistor de poder NPN do Triode TIP137 100V 6A TO-220-3
Capacidade da fonte：10000PCS POR A SEMANA
MOQ：1
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Dissipação de calor MOSFET de alta potência Transistores de potência de silício
vídeo
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Dissipação de calor MOSFET de alta potência Transistores de potência de silício
Local de origem：China
Quantidade mínima de encomenda：De acordo com o seu pedido
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Máquinas relacionadas de 220 V SMT, Máquina de formação de chumbo de transistores de potência SC-101E
Shenzhen Honreal Technology Co.,Ltd

Máquinas relacionadas de 220 V SMT, Máquina de formação de chumbo de transistores de potência SC-101E
Número do modelo：SC-101E
Local de origem：China
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transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM
JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM
Número de modelo：PG-TO 220
MOQ：100 / Negociável
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Transistor de potência multifuncional e IGBT de alta tensão 1200V 40A
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Transistor de potência multifuncional e IGBT de alta tensão 1200V 40A
Local de origem：Guangdong, NC
Detalhes da embalagem：Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
Número de modelo：VBE36015E2
MOQ：1pcs
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Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT
Brand Name：onsemi
Model Number：NGTB40N120SWG
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MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF
Angel Technology Electronics Co

MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF
Capacidade da fonte：5000PCS
MOQ：10pieces
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Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal
Sumset International Trading Co.,Ltd

Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal
Número do modelo：SPS5713
Local de origem：Estados Unidos
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51199930-100 51199930100 dispositivos do transistor de poder de Honeywell
MOORE AUTOMATION LIMITED

51199930-100 51199930100 dispositivos do transistor de poder de Honeywell
Número de modelo：51199930-100
MOQ：1
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Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
Capacidade da fonte：1000000 unidades
MOQ：50pcs
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Transistor bipolar da microplaqueta 100V 65W 6A TIP41C de IC do transistor de NPN único
Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor bipolar da microplaqueta 100V 65W 6A TIP41C de IC do transistor de NPN único
Capacidade da fonte：10000 partes/partes por Mês
MOQ：discutível
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FANUC General Electric POWER AMPLIFIER CARD IC3600APAB1 quatro pequenos transistores circulares
Wisdomlong Technology CO.，LTD

FANUC General Electric POWER AMPLIFIER CARD IC3600APAB1 quatro pequenos transistores circulares
Número do modelo：IC3600APAB1
Local de origem：Estados Unidos
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