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PRODUTOS CONEXOS

transistor do pnp

 (5,548)

poder do transistor

 (11,734)

transistor de poder do rf

 (36,561)

transistor de poder do npn

 (19,701)

transistor de poder

 (11,734)

transistor de poder médio

 (24,152)

Transistores PNP

 (5,548)

Interruptor do transistor PNP

 (10,076)

Transistores de alta potência

 (321,439)

fonte de alimentação de transistores

 (160,351)

amplificador de potência de transistor

 (23,197)

Transistor de potência mosfet

 (23,711)

Ficha de dados do transistor de potência

 (14,695)

circuito de transistores de potência

 (59,321)

Transistores SMD PNP

 (6,870)

fonte de alimentação regulada por transistores

 (174,240)

Transistor de potência mosfet

 (23,711)

Ficha de dados do transistor de potência

 (119,748)

Transistores npn de alta potência

 (329,464)

Transistores npn pnp

 (13,642)

Transistores PNP de potência

 (17,611)

Transistores de potência npn de silício

 (31,560)

Transistores de amplificador de potência

 (23,197)

Transistor PNP Darlington

 (6,420)

Transistores PNP SMD

 (6,870)

transistor de poder do pnp

17,612
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PRODUTOS CONEXOS
Canal 38,7 NC do transistor de poder IRF9530PBF de Infineon Pnp 100V 14A 200MOhms 1 P
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Canal 38,7 NC do transistor de poder IRF9530PBF de Infineon Pnp 100V 14A 200MOhms 1 P
Capacidade da fonte：50000pcs pela boca
MOQ：100pcs
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Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

Transistor do poder superior PNP do transistor de poder do silicone do GV para componentes eletrônicos
Capacidade da fonte：18,000,000PCS/pelo dia
MOQ：PCS 1000-2000
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NL3K4AD Pnp MOS Transistor / Transistor Ic / Pnp Ic TO-220F Novo e Original NL3K4AD
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

NL3K4AD Pnp MOS Transistor / Transistor Ic / Pnp Ic TO-220F Novo e Original NL3K4AD
Temperatura de funcionamento：Padrão, Padrão
Série：circuitos integrados de diodo triodo, NL3K4AD
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Microplaqueta 18A 600V FQPF18N60C de IC do transistor de poder do MOSFET final
Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Microplaqueta 18A 600V FQPF18N60C de IC do transistor de poder do MOSFET final
Number modelo：FQPF18N60C
Número da peça.：FQPF18N60C
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Transistor SOT-23 SOT-23-3 LN2306LT1G do Mosfet de NPN e de PNP
Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor SOT-23 SOT-23-3 LN2306LT1G do Mosfet de NPN e de PNP
Capacidade da fonte：10000 PCes pelo mês
MOQ：discutível
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Dissipação de calor MOSFET de alta potência Transistores de potência de silício
vídeo
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Dissipação de calor MOSFET de alta potência Transistores de potência de silício
Local de origem：China
Quantidade mínima de encomenda：De acordo com o seu pedido
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Máquinas relacionadas de 220 V SMT, Máquina de formação de chumbo de transistores de potência SC-101E
Shenzhen Honreal Technology Co.,Ltd

Máquinas relacionadas de 220 V SMT, Máquina de formação de chumbo de transistores de potência SC-101E
Número do modelo：SC-101E
Local de origem：China
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transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM
JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM
Número de modelo：PG-TO 220
MOQ：100 / Negociável
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Transistor de potência multifuncional e IGBT de alta tensão 1200V 40A
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Transistor de potência multifuncional e IGBT de alta tensão 1200V 40A
Local de origem：Guangdong, NC
Detalhes da embalagem：Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
Número de modelo：VBE36015E2
MOQ：1pcs
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650V dos transistor IMW65R030M1H do N-canal transistor de poder TO-247-3 da trincheira sic
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

650V dos transistor IMW65R030M1H do N-canal transistor de poder TO-247-3 da trincheira sic
Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho
MOQ：10
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Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor de poder NGTB40N120SWG de IGBT
Brand Name：onsemi
Model Number：NGTB40N120SWG
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MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF
Angel Technology Electronics Co

MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF
Capacidade da fonte：5000PCS
MOQ：10pieces
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Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal
Sumset International Trading Co.,Ltd

Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal
Número do modelo：SPS5713
Local de origem：Estados Unidos
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51199930-100 51199930100 dispositivos do transistor de poder de Honeywell
MOORE AUTOMATION LIMITED

51199930-100 51199930100 dispositivos do transistor de poder de Honeywell
Número de modelo：51199930-100
MOQ：1
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Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
Capacidade da fonte：1000000 unidades
MOQ：50pcs
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SOT-323 3904W /3906W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício PNP
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

SOT-323 3904W /3906W NPN Transistor Plano Epitaxial de Silício PNP
Número do modelo：3904W /3906W
Local de origem：Dongguan China
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