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transistor do mosfet

(14,475)

transistor de poder do rf

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amplificador de potência do mosfet

(23,199)

motorista do mosfet do poder

(36,253)

transistor de poder do npn

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transistor de poder do pnp

(17,611)

mosfet do poder do hexfet

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mosfet do poder do canal de p

(38,849)

mosfet do poder do rf

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mosfet do poder

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transistor de poder

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mosfet do poder do ir

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mosfet do poder do smd

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mosfet do transistor

(14,475)

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mosfet de alta potência

(314,590)

Mosfet, amplificador de potência

(23,199)

Transistores de alta potência

(321,439)

Amplificador de potência mosfet

(17,926)

Ficha de dados do transistor de potência

(14,695)

fonte de alimentação mosfet

(159,619)

circuito de transistores de potência

(59,321)

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(70,741)

módulo de potência mosfet

(75,318)

amplificador de alta potência mosfet

(326,604)

Transistor de potência mosfet

23,711

Encontre o que procura fora de 23,711 de alta qualidade Transistor de potência mosfet de fornecedores da China

Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

Transistor de poder sem chumbo IRFP90N20DPBF do Mosfet 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Capacidade da fonte：12000pcs pela boca

MOQ：10pcs

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Transistor de potência MOSFET de superjunção de tipo N Anti EMI para SMPS

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Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Transistor de potência MOSFET de superjunção de tipo N Anti EMI para SMPS

Local de origem：China

Quantidade mínima de encomenda：De acordo com o seu pedido

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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Microplaqueta 18A 600V FQPF18N60C de IC do transistor de poder do MOSFET final

Number modelo：FQPF18N60C

Número da peça.：FQPF18N60C

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

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Wisdtech Technology Co.,Limited

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

Número do modelo：D2085UK

Local de origem：Reino Unido

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Pacote bipolar do transistor de poder NPN do Triode TIP137 100V 6A TO-220-3

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Pacote bipolar do transistor de poder NPN do Triode TIP137 100V 6A TO-220-3

Capacidade da fonte：10000PCS POR A SEMANA

MOQ：1

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Shenzhen Res Electronics Limited

MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

Capacidade da fonte：10000 PCes pelo mês

MOQ：discutível

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Transistores de potência industrial Sic 1200V, estabilidade de alta tensão N canal Mosfet

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Transistores de potência industrial Sic 1200V, estabilidade de alta tensão N canal Mosfet

Local de origem：Guangdong, NC

Quantidade mínima de encomenda：600

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

MSCSM120HM31CTBL2NG Modulos IGBT Automotivos Transistores N-Channel Mosfet Array

Prazo de entrega：5-8 dias do trabalho

MOQ：10

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Angel Technology Electronics Co

MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF

Capacidade da fonte：5000PCS

MOQ：10pieces

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JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

transistor de efeito de campo do transistor de poder IPA80R1K4CE do CE de 800V CoolMOSTM

Número de modelo：PG-TO 220

MOQ：100 / Negociável

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Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

Chips de transistor de diodo MOSFET 12V Si IRLML6401TRPBF

Número do modelo：IRLML6401TRPBF

Lugar de origem：Original

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

IRG7PH42UDPBF IGBT Transistores de potência 1200V 85A 320W TO247AC Infineon Technologies 7PH42 Mosfet

Capacidade da fonte：100000

MOQ：Negociável

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HK INTERRAA TECHNOLOGY LIMITED

INFINEON Mosfet Power IC Chip IRLML6401TRPBF P-CH 12V 4.3A SOT23

Número do modelo：IRLML6401TRPBF

Quantidade mínima de encomenda：1pcs

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Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

JUYI JY16M Controlador de Potência Mosfet Alta Eficiência Modo de Interrupção de Potência Para BLDC Motor Driver Board

Número de modelo：JY16M

MOQ：1 conjunto

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Shenzhen Honreal Technology Co.,Ltd

Máquinas relacionadas de 220 V SMT, Máquina de formação de chumbo de transistores de potência SC-101E

Número do modelo：SC-101E

Local de origem：China

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior

Número de modelo：VBE36015E2

MOQ：1pcs

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Sumset International Trading Co.,Ltd

Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal

Número do modelo：SPS5713

Local de origem：Estados Unidos

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D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz Push-pull RF Power Transistor MOSFET

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MOSFET NPN Microplaqueta SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G de IC do transistor

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JUYI JY16M Controlador de Potência Mosfet Alta Eficiência Modo de Interrupção de Potência Para BLDC Motor Driver Board

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Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior

Honeywell SPS5713 51199930-100 Dispositivo de Transistor de Potência do Rack Principal

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