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definição do transistor

122,280

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

IRFP9240PBF MOSFET de canal P 200V 12A 500 mOhms TO-247-3 Transistores

Número do modelo：IRFP9240PBF

Local de origem：Origem

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2.86 polegadas caneta de leitura de barras tela de alta definição 376 * 960 tela LCD

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Shenzhen Tianxianwei Technology Co., Ltd.

2.86 polegadas caneta de leitura de barras tela de alta definição 376 * 960 tela LCD

Número do modelo：TXW286005B0

Local de origem：Guangdong, China

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Shenzhen Res Electronics Limited

Transistor bipolar da microplaqueta 100V 65W 6A TIP41C de IC do transistor de NPN único

Capacidade da fonte：10000 partes/partes por Mês

MOQ：discutível

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Transistor 150V 104A TO220AB do canal do transistor N do Triode do diodo TIP120

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Transistor 150V 104A TO220AB do canal do transistor N do Triode do diodo TIP120

Capacidade da fonte：10000PCS POR A SEMANA

MOQ：1

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BS816A-1 Modo de melhoria do canal P DMOS TRANSISTOR TRANSISTOR RF de alta potência

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Wisdtech Technology Co.,Limited

BS816A-1 Modo de melhoria do canal P DMOS TRANSISTOR TRANSISTOR RF de alta potência

Número do modelo：BS816A-1

Local de origem：Estados Unidos

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ShenZhen Adia Techology CO.,LTD

Módulo alto do LCD TFT da relação do Pin LVDS da definição 10.1inch 1280*800 40 para HMI, industrial

Prazo de entrega：20-25

Number modelo：EE101IA-01D

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Resolução 1400×1050, Brilho máximo 30000cd/m2, Cor do ecrã Verde único, Microdisplay leve de 0,71 polegadas de silicone Micro OLED com alta definição para VR AR e drones

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Shenzhen FOVA Technology Co.,Ltd

Resolução 1400×1050, Brilho máximo 30000cd/m2, Cor do ecrã Verde único, Microdisplay leve de 0,71 polegadas de silicone Micro OLED com alta definição para VR AR e drones

Número do modelo：SZT-071

Local de origem：Shenzhen

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Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

MMUN2214LT1G Transistor de diodo de junção bipolar pré-polarizado 100mA 50V BRT NPN IC

Número do modelo：MMUN2214LT1G

Lugar de origem：Original

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Semicondutores discretos IRFS3207ZTRRPBF do Mosfet do transistor de efeito de campo do canal de N

Capacidade da fonte：Quantidade disponível 41128 peças

MOQ：Negociável

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Angel Technology Electronics Co

Transistor Digitas BJT NPN 50V 100mA 200mW do semicondutor de DTC123YUA ROHM

Capacidade da fonte：500000PCS

MOQ：100pcs

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

HF excelente do FET 28V do transistor LDMOS do amplificador de potência do Rf da estabilidade de Theramal a 2.7GHz

Número de modelo：VBE10R5

MOQ：1pcs

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Peças brandnew da máquina do cigarro do transistor do transistor de efeito de campo de Irfz44ns MK8D

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HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Peças brandnew da máquina do cigarro do transistor do transistor de efeito de campo de Irfz44ns MK8D

Capacidade da fonte：10000 PCes/mês

MOQ：2 PCes

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3.17 polegadas HD TFT LCD Display Panel 1024x768 Modulo Industrial de Alta Definição

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Rongguang Hui Optoelectronics Science and Technology

3.17 polegadas HD TFT LCD Display Panel 1024x768 Modulo Industrial de Alta Definição

Número do modelo：RT2H002A

Local de origem：Shenzhern, China

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Shenzhen Rong Mei Guang Science And Technology Co., Ltd.

A007665 A004756 Peças ATM DeLaRue Glory NMD NMD100 NS200 Fototransistor Sensor infravermelho

Prazo de entrega：1-7 dias de trabalho

Número do modelo：A007665 A004756

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD

Capacidade da fonte：1000000 unidades

MOQ：50pcs

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AYE TECHNOLOGY CO., LIMITED

Transistor duplo feito sob encomenda do transistor IRLML6402TRPBF do diodo de IC da microplaqueta do MOSFET 65 ohms

Capacidade da fonte：10000pcs/day

MOQ：1pcs

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IRFP9240PBF MOSFET de canal P 200V 12A 500 mOhms TO-247-3 Transistores

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Transistor bipolar da microplaqueta 100V 65W 6A TIP41C de IC do transistor de NPN único

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Módulo alto do LCD TFT da relação do Pin LVDS da definição 10.1inch 1280*800 40 para HMI, industrial

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MMUN2214LT1G Transistor de diodo de junção bipolar pré-polarizado 100mA 50V BRT NPN IC

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A007665 A004756 Peças ATM DeLaRue Glory NMD NMD100 NS200 Fototransistor Sensor infravermelho

módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD

Transistor duplo feito sob encomenda do transistor IRLML6402TRPBF do diodo de IC da microplaqueta do MOSFET 65 ohms

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