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Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet
Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet
Especificações
Lugar de origem :
ShenZhen China
MOQ :
PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :
Encaixotado
Prazo de entrega :
1 - 2 semanas
Termos do pagamento :
L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :
18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :
HXY4812
Nome de produto :
Transistor de poder do Mosfet
Aplicação :
interruptor da carga ou em aplicações de PWM.
Caso :
Fita/bandeja/carretel
Descrição

MOSFET duplo do N-canal de HXY4812 0V

 

 

Descrição geral

 

O HXY4812 usa tecnologia avançada da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto

o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM

aplicações.

 

 

Sumário do produto

Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do MosfetTipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

 

 

 

Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário

 

Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

 

Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

 

 

 

A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Cobre, em um ambiente de ar imóvel com Ta =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. O paládio da dissipação de poder é baseado em TJ (max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

A avaliação de C. Repetitivo, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ (max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

D. O RθJA é a soma da impedância térmica da junção para conduzir RθJL e conduzi-lo a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>

Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do MosfetTipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

 

 

 

 

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Detalhes do produto
Lugar de origem :
ShenZhen China
MOQ :
PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :
Encaixotado
Prazo de entrega :
1 - 2 semanas
Termos do pagamento :
L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :
18,000,000PCS/pelo dia
Fornecedor de contacto
Tipo duplo atual alto elevado desempenho do transistor de poder N do Mosfet

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Nível de certificação :
Verified Supplier
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