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Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
Especificações
Lugar de origem :
ShenZhen China
MOQ :
PCS 1000-2000
Detalhes de empacotamento :
Encaixotado
Prazo de entrega :
1 - 2 semanas
Termos do pagamento :
L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :
18,000,000PCS/pelo dia
Number modelo :
8H02ETS
Nome de produto :
Transistor de poder do Mosfet
VDSS :
6,0 A
APLICAÇÃO :
Gestão do poder
CARACTERÍSTICA :
Baixa carga da porta
Transistor do mosfet do poder :
SOT-23-6L Plástico-encapsulam
Descrição

MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel

 

 

 

DESCRIÇÃO

O 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e

operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.

 

 

CARACTERÍSTICAS GERAIS

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A

8H02TS RDS (SOBRE) < 28m="">

RDS (SOBRE) < 26m="">

RDS (SOBRE) < 22m="">

RDS (SOBRE) < 20m="">

Avaliação do ESD: 2000V HBM

 

 

Aplicação

Proteção da bateria

Gestão do poder do interruptor da carga

 

Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

 

 

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

 

Identificação do produto Bloco Marcação Qty (PCS)
8H02ETS TSSOP-8 8H02ETS WW YYYY 5000/3000

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

 

 

Parâmetro Símbolo Limite Unidade
Tensão da Dreno-fonte VDS 20 V
Tensão da Porta-fonte VGS ±12 V
Drene Current-Continuous@ Atual-pulsado (nota 1) Identificação 7 V
Dissipação de poder máxima Paládio 1,5 W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, TSTG -55 a 150 ℃
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) RθJA 83 ℃/W

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notou de outra maneira)

 

 

Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

 

 

NOTAS: 1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. 2. de superfície montado FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não assunto aos testes de produção.
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
 
 
Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa
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Encaixotado
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L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :
18,000,000PCS/pelo dia
Fornecedor de contacto
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
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Nível de certificação :
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