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Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A
Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A
Especificações
Brand Name :
Hua Xuan Yang
Model Number :
G045P03LQ1C2
Certification :
RoHS、SGS
Place of Origin :
ShenZhen China
Minimum Order Quantity :
Negotiation
Price :
Negotiated
Payment Terms :
L/C T/T Western Union
Supply Ability :
18,000,000PCS / Per Day
Delivery Time :
1 - 2 Weeks
Packaging Details :
Boxed
Product name :
N Channel Mos Field Effect Transistor
Power :
-30V/-80A
R DS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) :
@V GS = -10V
R DS(ON) = 6.2 mΩ (typ.) :
@V GS = -4.5V
Application :
Switching
Descrição

Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

Canal Mos Field Effect Transistor Description de N

 

-30V/-80A
R do mΩ 3,8 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -10V
R do mΩ 6,2 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -4.5V
A avalancha 100% testou
Seguro e áspero
Dispositivos livres do halogênio disponíveis

 

Canal Mos Field Effect Transistor Applications de N

 

Aplicação de comutação
Gestão do poder para DC/DC
Proteção da bateria

 

Informação pedindo e de marcação

 

C2
G045P03
XYMXXXXXX

 

Código do pacote
C2: PPAK5*6-8L
Código da data
XYMXXXXXX

 

Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos moldando/para morrer materiais do anexo e do resíduo metálico placa 100% de lata Termi-
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI para encontrar ou exceder o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.

 

Avaliações máximas absolutas

Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

Características de funcionamento típicas

 

 

Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

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Detalhes do produto
Brand Name :
Hua Xuan Yang
Model Number :
G045P03LQ1C2
Certification :
RoHS、SGS
Place of Origin :
ShenZhen China
Minimum Order Quantity :
Negotiation
Price :
Negotiated
Fornecedor de contacto
Canal Mos Field Effect Transistor de N, transistor de poder superior -30V/-80A

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Fabricante
Produtos principais :
, ,
Nível de certificação :
Verified Supplier
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