Transistor de poder do Mosfet do desempenho o mais alto com densidade de pilha alta extrema
Descrição da característica do transistor de poder do Mosfet
É um MOSFET de alta tensão do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo de comutação rápido, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de comutação de alta velocidade de fontes e de adaptadores de comutação de alimentação.
40V/12A
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 13mΩ GS = 10V
R DS (SOBRE) = (tipo.) @V 16mΩ GS = 4.5V
100%Avalanche testou
Seguro e áspero
Halogênio livre e DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)
Aplicações do transistor de poder do Mosfet
PowerManagement forDC/DC
Aplicação de comutação
Proteção da bateria
Informação pedindo e de marcação
S
HXY1404
YYXXXJWW G
Código do pacote
S: SOP-8L
Material do conjunto do código da data
YYXXX WW G: Halogênio livre
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos moldando/para morrer materiais do anexo e do resíduo metálico placa 100% de lata Termi-
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI para encontrar ou exceder o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Características de funcionamento típicas