Diodo Schottky de alta resistência atual para fonte de alimentação de alta frequência
MBR20100.pdf
A estrutura do circuito interno de um retificador Schottky típico é baseada em um substrato semicondutor do tipo N, no qual é formada uma camada N-epitaxial com arsênico como dopante.O ânodo usa materiais como molibdênio ou alumínio para fazer a camada de barreira.O dióxido de silício (SiO2) é usado para eliminar o campo elétrico na área da borda e melhorar o valor da tensão suportável do tubo.O substrato do tipo N tem uma resistência no estado muito pequena e sua concentração de dopagem é 100% maior que a da camada H.Uma camada de cátodo N+ é formada sob o substrato para reduzir a resistência de contato do cátodo.Ajustando os parâmetros estruturais, forma-se uma barreira Schottky entre o substrato do tipo N e o metal do ânodo, conforme mostrado na figura.Quando uma polarização direta é aplicada a ambas as extremidades da barreira Schottky (o metal do ânodo é conectado ao pólo positivo da fonte de alimentação e o substrato tipo N é conectado ao pólo negativo da fonte de alimentação), a camada de barreira Schottky torna-se mais estreito e sua resistência interna torna-se menor;caso contrário, se Quando uma polarização reversa for aplicada a ambas as extremidades da barreira Schottky, a camada da barreira Schottky se torna mais larga e sua resistência interna se torna maior.
Características
1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS
Formulários
1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação
2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS
SE(AV) |
10(2×5)A |
VF(max) |
0,7V (@Tj=125°C) |
Tj |
175°C |
VRRM |
100 V |
MENSAGEM DO PRODUTO
Modelo |
marcação |
Pacote |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)
Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
Unidade |
||
Tensão reversa de pico repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
||
Tensão máxima de bloqueio DC |
VDC |
100 |
V |
||
Corrente direta média |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SE(AV) |
10 5 |
A |
Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
||
Temperatura máxima de junção |
Tj |
175 |
°C |
||
Amplitude Térmica de armazenamento |
TSTG |
-40~+150 |
°C |