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Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade
Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade
Especificações
Number modelo :
MBR10200
Lugar de origem :
Dongguan China
MOQ :
negociação
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
2000000 pelo mês
Prazo de entrega :
negociação
Detalhes de empacotamento :
Pacote/negociação da exportação
Tipo :
Diodo de Schottky
Características :
Produto de RoHS
Tipo do pacote :
Através do furo
Máximo Dianteiro Atual :
30A, 30A
Tensão dianteira do máximo :
0.9V, 0.9V
Tensão reversa máxima :
200V
Descrição

Diodo Schottky de estrutura de cátodo comum para aplicações de proteção de polaridade

MBR10200.pdf

Um diodo Schottky é um dispositivo semicondutor de metal feito de um metal nobre (ouro, prata, alumínio, platina, etc.) A como eletrodo positivo e um semicondutor tipo N B como eletrodo negativo, e a barreira de potencial formada no superfície de contato dos dois tem características de retificação.Como há um grande número de elétrons no semicondutor do tipo N e apenas uma pequena quantidade de elétrons livres no metal nobre, os elétrons se difundem de B com alta concentração para A com baixa concentração.Obviamente, não há buracos no metal A e não há difusão de buracos de A para B. À medida que os elétrons continuam a se difundir de B para A, a concentração de elétrons na superfície de B diminui gradualmente e a neutralidade elétrica da superfície é destruída , formando assim uma barreira de potencial, e sua direção de campo elétrico é B→A.No entanto, sob a ação do campo elétrico, os elétrons em A também produzirão um movimento de deriva de A → B, enfraquecendo assim o campo elétrico formado devido ao movimento de difusão.Quando uma região espacial de cargas de certa largura é estabelecida, o movimento de deriva de elétrons causado pelo campo elétrico e o movimento de difusão de elétrons causado por diferentes concentrações atingem um equilíbrio relativo, formando uma barreira de Schottky.


Características

1. Estrutura de cátodo comum
2. Baixa perda de energia, alta eficiência
3. Alta temperatura da junção operacional
4. Anel de proteção para proteção contra sobretensão, alta confiabilidade
5. Produto RoHS

Formulários

1. Interruptor de alta frequência Fonte de alimentação

2. Diodos de roda livre, aplicações de proteção de polaridade

CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS

SE(AV)

10(2×5)A

VF(max)

0,7V (@Tj=125°C)

Tj

175°C

VRRM

100 V

MENSAGEM DO PRODUTO

Modelo

marcação

Pacote

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

CLASSIFICAÇÕES ABSOLUTAS (Tc=25°C)

Parâmetro

Símbolo

Valor

Unidade

Tensão reversa de pico repetitivo

VRRM

100

V

Tensão máxima de bloqueio DC

VDC

100

V

Corrente direta média

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)

por dispositivo

por diodo

SE(AV)

10 5

A

Surto de corrente direta não repetitiva 8,3 ms de meia onda senoidal única (Metodo JEDEC)

IFSM

120

A

Temperatura máxima de junção

Tj

175

°C

Amplitude Térmica de armazenamento

TSTG

-40~+150

°C

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Detalhes do produto
Number modelo :
MBR10200
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Dongguan China
MOQ :
negociação
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
2000000 pelo mês
Prazo de entrega :
negociação
Fornecedor de contacto
Diodo comum de Schottky da estrutura do cátodo para aplicações da proteção da polaridade

Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd

Verified Supplier
12 Anos
guangdong, dongguan
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1,500,000-2,500,000
Número de trabalhadores :
138~168
Nível de certificação :
Verified Supplier
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