Corrente de vazamento do emissor da porta: :
+/- 250 nA
Categoria de produtos: :
Transistores IGBT
Estilo de montagem: :
Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC: :
80A
Paládio - dissipação de poder: :
283 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max: :
650 V
Embalagem / Caixa: :
TO-3P-3
Temperatura máxima de funcionamento: :
+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta: :
+/- 30 V
Voltagem de saturação do colector-emissor: :
1,6 V
Fabricante: :
STMicroelectrónica
Descrição :
IGBT Transistores IGBT, série HB 650 V, 40 A de alta velocidade