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MG1275S-BA1MM
MG1275S-BA1MM
Especificações
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
105 A
Estatuto do produto :
Obsoletos
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Série :
-
Embalagem / Caixa :
Módulo S-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 75A (tipo)
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor :
S3
Mfr :
Littelfuse Inc.
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo) :
µA 500
Tipo IGBT :
-
Potência - Máximo :
630 W
Input :
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :
5.52 nF @ 25 V
Configuração :
Meia ponte
Termistor NTC :
Não
Descrição :
Módulo IGBT 1200V 105A 630W S3
Descrição
Módulo IGBT Meia ponte 1200 V 105 A 630 W Montador do chassi S3
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MG1275S-BA1MM

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Detalhes do produto
Categoria :
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo) :
105 A
Estatuto do produto :
Obsoletos
Tipo de montagem :
Montura do chassi
Pacote :
Em granel
Série :
-
Fornecedor de contacto
MG1275S-BA1MM

UDEL Chips Tech Co., Ltd.

Active Member
2 Anos
shenzhen
Desde 2013
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1.000.000.00-30.000.000.00
Número de trabalhadores :
15~25
Nível de certificação :
Active Member
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