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C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W

Especificações

Número de modelo :

VBE6006H

Lugar de origem :

China

MOQ :

1pcs

Capacidade da fonte :

10k

Tempo de entrega :

5-8 dias de trabalho

Detalhes de empacotamento :

embalagem neutra

Condição :

novo e original

Descrição

C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W ‘

C.C. larga de alta velocidade da faixa do transistor de poder do RF do material contínuo a 3GHz 120W

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Detalhes do produto

Número de modelo :

VBE6006H

Lugar de origem :

China

MOQ :

1pcs

Capacidade da fonte :

10k

Tempo de entrega :

5-8 dias de trabalho

Detalhes de empacotamento :

embalagem neutra

Fornecedor de contacto

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier

8 Anos

guangdong, shenzhen

Desde 2010

Tipo de empresa :

Fabricante

Produtos principais :

, ,

Total Anual :

5000000-10000000

Número de trabalhadores :

100~150

Nível de certificação :

Verified Supplier

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