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HF largo da faixa a FET 28V RoHs do transistor de poder LDMOS de 1GHz 55W RF complacente

Especificações

Número de modelo :

VBE10R5

Lugar de origem :

China

MOQ :

1pcs

Capacidade da fonte :

10k

Tempo de entrega :

5-8 dias de trabalho

Detalhes de empacotamento :

embalagem neutra

Condição :

novo e original

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Detalhes do produto

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VBE10R5

Lugar de origem :

China

MOQ :

1pcs

Capacidade da fonte :

10k

Tempo de entrega :

5-8 dias de trabalho

Detalhes de empacotamento :

embalagem neutra

Fornecedor de contacto

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Verified Supplier

8 Anos

guangdong, shenzhen

Desde 2010

Tipo de empresa :

Fabricante

Produtos principais :

, ,

Total Anual :

5000000-10000000

Número de trabalhadores :

100~150

Nível de certificação :

Verified Supplier

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