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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7942DP-T1-GE3
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7942DP-T1-GE3
Especificações
Número da peça :
SI7942DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
TrenchFET®
Lugar de origem :
Original
MOQ :
Negociável
Prazo de entrega :
Negociável
Termos do pagamento :
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
100000
Descrição

Especificações SI7942DP-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 100V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 3.8A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso PowerPAK® SO-8 duplo
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 duplo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI7942DP-T1-GE3

Detecção

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Detalhes do produto
Número da peça :
SI7942DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
TrenchFET®
Fornecedor de contacto
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI7942DP-T1-GE3

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Active Member
3 Anos
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
80~100
Nível de certificação :
Active Member
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