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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI4925DDY-T1-GE3
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI4925DDY-T1-GE3
Especificações
Número da peça :
SI4925DDY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
TrenchFET®
Lugar de origem :
Original
MOQ :
Negociável
Prazo de entrega :
Negociável
Termos do pagamento :
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
100000
Descrição

Especificações SI4925DDY-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 8A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 29 mOhm @ 7.3A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1350pF @ 15V
Poder - máximo 5W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SI4925DDY-T1-GE3

Detecção

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Detalhes do produto
Número da peça :
SI4925DDY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série :
TrenchFET®
Fornecedor de contacto
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SI4925DDY-T1-GE3

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Active Member
3 Anos
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
80~100
Nível de certificação :
Active Member
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