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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTMD6P02R2G
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTMD6P02R2G
Especificações
Número da peça :
NTMD6P02R2G
Fabricante :
No semicondutor
Descrição :
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem :
Original
MOQ :
Negociável
Prazo de entrega :
Negociável
Termos do pagamento :
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
100000
Descrição

Especificações de NTMD6P02R2G

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 4.8A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1700pF @ 16V
Poder - máximo 750mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SOIC
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NTMD6P02R2G

Detecção

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Detalhes do produto
Número da peça :
NTMD6P02R2G
Fabricante :
No semicondutor
Descrição :
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Categoria :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família :
Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem :
Original
Fornecedor de contacto
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTMD6P02R2G

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Active Member
3 Anos
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
80~100
Nível de certificação :
Active Member
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