µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 Vídeo da China

Sep 15, 2024

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Descrição do produto: a C-cara 10*10.5mm2 Si-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal autônoma da carcaça de GaN única < 0=""> Vista geralA carcaça do nitreto doAprenda mais

µm do ≤ 10 do µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

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