JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3 Vídeo da China

Sep 15, 2024

35849 opiniões

Descrição do produto: 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou a única espessura de lustro de cristal autônoma 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec da categoria do produto da carcaça Ga2O3 únAprenda mais

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

3-4 dias da semana

JDCD04-001-002

Contacte agora

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Active Member

4 Anos

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

Sistema de recozimento RTP-SA-8 de processamento térmico rápido de produção

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

JDCD07-001-001 Wafer epitaxial SOI de 4 polegadas para processamento de MEMS

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Substituir um lote

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Dopado Livre Ga2O3 Substrato de Cristal Único

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Dopado Livre Ga2O3 Substrato de Cristal Único

Ver detalhes

Sn Doping Ga2O3 Wafer Substrato monocristal 10x10mm2

Sn Doping Ga2O3 Wafer Substrato monocristal 10x10mm2

Ver detalhes

Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate

Única Ga2O3 bolacha lustrada lateral único Crystal Substrate

Ver detalhes

0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing

0.6mm 0.8mm Ga2O3 único Crystal Substrate Single Polishing

Ver detalhes

Bolacha único Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm a 0.8mm

Bolacha único Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm a 0.8mm

Ver detalhes

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos

MachineU Canal de vídeo Produtos químicos Produtos químicos inorgânicos Óxido

Fornecedor de contacto

Mensagem*

E-mail*

Telefone ou WhatsApp*

Nome

Empresa

Exigência de submissão

Por favor, responda-me dentro de 24 horas.

Quero o serviço de contratação de fornecedores!