10x10mm2(010)Sn-dopado Substrato de cristal único Ga2O3 independente Grau de produto Polimento único Espessura 0,6~0,8mm FWHM＜350arcsec, Ra≤0,5nm Resistência 1,53E+18Ω/cm-3 Dispositivos optoeletrônicos, camadas isolantes de materiais semicondutores e filtros UV

Embora os dispositivos baseados em silício tenham sido capazes de produzir dispositivos relativamente eficientes, as características aprimoradas do nitreto de gálio dão aos semicondutores GaN a vantagem de perder muito menos energia para o calor.O amplo bandgap permite que os dispositivos GaN sustentem temperaturas muito mais altas do que o silício, permitindo um nível mais alto de eficiência energética para seus dispositivos favoritos em geral.

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

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