375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos Vídeo da China

May 26, 2025

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Descrição do produto: 350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, Substratos U-GaN/SI-GaN independentes de 8 ± 1 mm de 2 polegadas Substrato monocristal de GaN não dopado de face C de 2 polAprenda mais

375 um GaN Epitaxial Wafer Livre U-GaN SI-GaN Substratos

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