SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm Vídeo da China

Jun 24, 2025

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Descrição do produto: ± autônomo do μm 50,8 do ± 25 das carcaças 350 de 2-polegada U-GaN/SI-GaN 1 milímetro a C-cara 2inch Un-lubrificou o n-tipo resistividade de cristal Aprenda mais

SI GaN Substrates de 2 polegadas U GaN Substrates 50.8mm

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Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

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Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

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