Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência Vídeo da China

May 14, 2025

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Descrição do produto: Descrição: As wafers epiaxiais se referem a produtos formados pelo crescimento de uma nova camada de cristal único em um único substrato de cristalAprenda mais

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência

Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência

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Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

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12.5mm 2inch N autônomo GaN Epi Wafer Si Doped

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GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

GaN dopado com UID tipo N de 4 polegadas em wafer de safira SSP Resistividade＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN Wafer epitaxial

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

plano de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) fora do ângulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°

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Nitreto de gálio de substrato GaN independente dopado de 4 polegadas

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GaN 2 polegadas Nitreto de gálio Substrato de cristal único

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625um a 675um 4 polegadas LED azul nitruro de gálio GaN Wafer epitaxial em

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Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a

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