MOSFETs de capacidade elevada de FQP8N60C

Experimente o poder sem rival com o FQP8N60C

O FQP8N60C é um MOSFET de capacidade elevada que entregue o poder e o desempenho incomparáveis para uma vasta gama de aplicações eletrônicas. Com seu ponto baixo na resistência e na capacidade atual alta, este MOSFET é projetado segurar mesmo as exigências de poder de exigência. No centro do FQP8N60C é um projeto original que maximize a eficiência e minimize a condução e perdas de comutação. Isto traduz no desempenho melhorado e em uma operação mais segura, mesmo sob circunstâncias extremas.

Caracterizando uma construção robusta e uns materiais de alta qualidade, este MOSFET é construído para durar e suportar ambientes ásperos. Com seu desempenho excepcional, o FQP8N60C é ir-à escolha para os desenhistas e os coordenadores que olham para aperfeiçoar seus sistemas eletrônicos. Assim se você está procurando um MOSFET de capacidade elevada que entregue o poder ímpar e o desempenho, olhe não mais adicional do que o FQP8N60C.

Total, a descrição do produto centra-se sobre o de capacidade elevada e a confiança de FQP8N60C. Um encabeçamento claro e conciso atrairá a atenção de clientes potenciais e fará o produto estar para fora.

• Tecnologia: Si
• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-220-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 600 V
• Identificação - corrente contínua do dreno: 7,5 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 1,2 ohms
• Vgs - tensão da Porta-fonte: - 30 V, + 30 V
• Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 4 V
• Qg - carga da porta: 28 nC
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
• Paládio - dissipação de poder: 147 W
• Modo do canal: Realce
• Série: FQP8N60C
• Empacotamento: Tubo
• Tipo: onsemi/Fairchild
• Configuração: Único
• Tempo de queda: 64,5 ns
• Transcondutância dianteira - minuto: 8,7 S
• Altura: 16,3 milímetros
• Comprimento: 10,67 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevação: 60,5 ns