Transistor de poder de capacidade elevada

Descrição de IRF540NPBF: Projeto superior para eletrônica avançada

Se você está procurando um transistor de poder avançado para seus projetos da eletrônica, olhe não mais adicional do que o IRF540NPBF. Este transistor de capacidade elevada é projetado entregar resultados excepcionais, com um projeto superior que assegure a eficiência e a confiança ótimas. Caracterizando uma capacidade de alta tensão até de 100V, o IRF540NPBF pode operar-se em uma vasta gama de aplicações. Igualmente vangloria-se de uma capacidade atual alta até de 33A, fazendo o ideal para o uso nos circuitos de exigência que exigem capacidades de comutação poderosas.

Mas o que se ajusta realmente o IRF540NPBF é distante seu projeto avançado. Com uma baixa resistência do em-estado e umas velocidades de comutação rápidas, este transistor entrega o desempenho excepcionalmente eficiente e seguro. Igualmente caracteriza uma construção áspera que o faça resistente para danificar dos fatores ambientais como a temperatura e a vibração.

Assim se você está procurando um transistor de poder de capacidade elevada que possa entregar resultados superiores mesmo nas aplicações de exigência, escolha o IRF540NPBF. Com seus projeto excepcional e desempenho seguro, é a escolha perfeita para projetos avançados da eletrônica.

Características técnicas:

• Tecnologia: Si
• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-220-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 100 V
• Identificação - corrente contínua do dreno: 33 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 44 mOhms
• Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 2 V
• Qg - carga da porta: 47,3 nC
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
• Paládio - dissipação de poder: 140 W
• Modo do canal: Realce
• Empacotamento: Tubo
• Tipo: Infineon Technologies
• Configuração: Único
• Altura: 15,65 milímetros
• Comprimento: 10 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET