Especificações
Número do modelo :
STB80PF55T4
Local de origem :
China
Fabricante :
STMicroelectrónica
Número da peça :
STB80PF55T4
Tipo :
MOSFET
Polaridade :
P-canal
Características :
Alta potência e eficiência
Disponível :
- Sim, sim.
Resíduos :
Em existência
Quantidade mínima de encomenda :
1
Descrição

MOSFET de alto desempenho STB80PF55T4 P-Channel para aplicações de energia

O STMicroelectronics STB80PF55T4 é um MOSFET de alto desempenho de canal P projetado para aplicações de energia que exigem comutação eficiente e capacidades de manuseio de alta corrente.Com tensão de ruptura de 55 V e corrente de descarga contínua de 80 A, este MOSFET oferece um desempenho robusto em ambientes exigentes. O STB80PF55T4 apresenta uma baixa resistência à fonte de drenagem (Rds On) de 16 mOhms,Minimizar as perdas de energia e melhorar a eficiência global do sistemaA configuração de um único canal torna-o adequado para várias aplicações de comutação de energia.

55V, 80A, baixo Rds On - Ideal para sistemas de alta potência

Com uma faixa de tensão gate-source de -16V a +16V, este MOSFET fornece flexibilidade na condução do dispositivo e permite uma fácil integração em projetos de circuitos existentes.A operação no modo de reforço garante um comportamento de comutação confiável e controladoEste MOSFET é baseado na tecnologia de silício (Si), conhecido por seu excelente desempenho e confiabilidade.oferecendo instalação conveniente e benefícios de poupança de espaçoFuncionando numa ampla gama de temperaturas, de -55°C a +175°C, o STB80PF55T4 é adequado para ambientes adversos e pode suportar condições de funcionamento exigentes.

 

O MOSFET STB80PF55T4 foi projetado para lidar com alta dissipação de energia, com uma classificação de dissipação de energia de 300W. Isso permite que ele lide com cargas de energia significativas sem comprometer o desempenho.Com tempo de subida de 190 ns e tempo de queda de 80 ns, este MOSFET garante características de comutação rápidas e eficientes, contribuindo para melhorar o desempenho do sistema.O STB80PF55T4 oferece um formato compactoSe estiver a trabalhar em fontes de alimentação, controlo de motores ou noutras aplicações de alta potência,O MOSFET de canal P STB80PF55T4 da STMicroelectronics fornece uma alta potência, baixa resistência, e comutação eficiente para as suas necessidades de design.

Características técnicas

Características Especificações
Fabricante STMicroelectrónica
Categoria de produtos MOSFET
Tecnologia Sim
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem / Caixa TO-263-3
Polaridade do transistor Canal P
Número de canais 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem 55 V
Id - Corrente de escoamento contínua 80 A
Rds On - Resistência da fonte de drenagem 16 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de entrada -16 V, +16 V
Temperatura mínima de funcionamento -55°C
Temperatura máxima de funcionamento +175°C
Pd - Dissipação de energia 300 W
Modo de canal Reforço
Série STB80PF55T4
Embalagem Reel, Cut Tape, MouseReel
Configuração Solteiro
Tempo de Outono 80 ns
Transcondutividade para a frente - Min 32 S
Altura 4.6 mm
Duração 10.4 mm
Hora de subir. 190 ns
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STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Alta potência e eficiência

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Número do modelo :
STB80PF55T4
Local de origem :
China
Fabricante :
STMicroelectrónica
Número da peça :
STB80PF55T4
Tipo :
MOSFET
Polaridade :
P-canal
Fornecedor de contacto
STB80PF55T4 Transistor IC Chip P Channel MOSFET Alta potência e eficiência

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Active Member
3 Anos
shenzhen
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter, Trading Company, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
25~30
Nível de certificação :
Active Member
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