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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido
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Especificações
Número de modelo :
GaN-moldes
Lugar de origem :
China
MOQ :
5pc
Termos do pagamento :
L / C, T / T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
Epi de GaN no portador da safira
Método :
HVPE
Tamanho :
2inch
Espessura :
430um
Indústria :
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,
Superfície :
único lado lustrado
Descrição

molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, bolacha do mocvd GaN,

Especificações de GaN/características especiais:

  1. O nitreto do gálio (GaN) é um material feito muito duro que tenha um wurtzite a estrutura de cristal e é provavelmente o material o mais importante do semicondutor como o material da terceira geração semi.
  2. Pode ser usado para emitir-se a luz brilhante sob a forma dos diodos luminescentes (diodo emissor de luz) e dos diodos láser, assim como ser o material chave para a alta frequência da próxima geração, transistor de poder superior capazes do funcionamento em altas temperaturas.
  3. GaN baseou a bolacha epitaxial (safira, sic) que as bolachas Epitaxial são crescidas pelo método do MBE ou do MOCVD, a uma camada ou as estruturas da multi-camada em carcaças da safira, diâmetro até 4 polegadas.

Tampa proibida da largura de banda do Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão) (luminescente e absorção) o ultravioleta,

a luz visível e infrared.GaN podem ser usados em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, detecção alta-tensão

e imagem latente, exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Especificações:

2" moldes de GaN

Artigo

GaN-T-N

GaN-T-S

Dimensões

Ф 2"

Espessura

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

Orientação

± 1° da C-linha central (0001)

Tipo da condução

N-tipo

Semi-isolamento

Resistividade (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

Densidade de deslocação

Menos do que os cm2 1x108

Estrutura da carcaça


GaN grosso na safira 430um ou 330um (0001)

Área de superfície útil

> 90%

Polonês

Padrão: Opção de SSP: DSP

Pacote

Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.
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- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF pela CORRENTE DE RELÓGIO.
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T adiantado, Paypal, união ocidental, MoneyGram,


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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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