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N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet
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Especificações
Local de origem :
China
Tempo de entrega :
2-4weeks
Modo de cavidade Uniformidade :
<= 1%
Nível de doping Uniformidade :
Cálculo do valor do produto
Descrição

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet

Substrato de N-GaAs VCSEL epiwafer

OEpiwafer VCSEL de substrato de N-GaAs (arseneto de gálio do tipo n)É um componente crítico usado na fabricação de lasers de emissão de superfície de cavidade vertical (VCSELs).A bolacha é construída sobre um substrato GaAs tipo N, que proporciona uma excelente condutividade elétrica e uma base adequada para o crescimento da camada epitaxial.

As camadas epitaciais, tipicamente compostas por vários semicondutores compostos, são cultivadas no substrato para formar a região ativa do laser.oferecendo alta eficiência e fácil integração em matrizesO wafer normalmente suporta emissão em comprimentos de onda como850 nm ou 940 nm, ideal para aplicações em comunicações de fibra óptica e detecção 3D.

Os substratos de N-GaAs fornecembaixa densidade de defeito, essencial para dispositivos de alto desempenho, e pode suportarProcessamento a alta temperaturaA sua estabilidade mecânica e condutividade térmica tornam-na adequada para aplicações de alta potência e alta velocidade.Centros de dados,Eletrónica de consumo(por exemplo, reconhecimento facial em smartphones), esistemas automóveiscomo o LIDAR, devido ao seuRentabilidadeeEscalabilidadeprodução.

Estrutura da epiwafer VCSEL do substrato N-GaAs

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Ficha de dados do epiwafer VCSEL de substrato N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)

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Foto do epiwafer VCSEL do substrato N-GaAs

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Aplicação de epiwafers VCSEL de substrato N-GaAs

OEpiwafer VCSEL com substrato de N-GaAsé amplamente utilizado em várias aplicações de alta tecnologia devido à sua eficiente emissão de luz vertical, escalabilidade e vantagens de desempenho.

Comunicação óptica:

  • Os VCSELs em substratos de N-GaAs são amplamente utilizados emComunicação por fibra ópticasistemas, incluindoGigabit EtherneteCentros de dados, onde suportam a transmissão de dados de alta velocidade a curtas distâncias com uma elevada eficiência energética.

Sensores 3D:

  • EmEletrónica de consumo, tais como smartphones e tablets, os VCSELs são parte integranteSensores 3Daplicações, incluindoreconhecimento facial(identificação facial),reconhecimento de gestos, eRealidade aumentadaO seu design compacto e a sua eficiência energética tornam-nos ideais para dispositivos móveis.

LIDAR (Detecção e alcance da luz):

  • Os VCSEL são utilizados emSistemas LIDARparaveículos autónomos,drones, erobóticaO comprimento de onda de 940 nm é particularmente útil no LIDAR devido à sua capacidade de funcionar bem em condições externas.

Ratos e impressoras a laser:

  • Os epiwafers VCSEL também são utilizados naratos a laserpara rastreamento de movimento preciso e emImpressoras a laserpara impressão de alta velocidade e alta resolução.

Sensores médicos e industriais:

  • No diagnóstico médico e na automação industrial, os VCSEL são utilizados para:detecção de proximidade,Análise biométrica, esistemas de posicionamentodevido à sua precisão e fiabilidade.

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit EthernetN-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit EthernetN-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet

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Estas aplicações destacam a versatilidade e a importância dos VCSELs de substrato N-GaAs na tecnologia moderna.

Propriedades dos epiwafers VCSEL de substrato N-GaAs

OEpiwafer VCSEL com substrato de N-GaAsPossui várias propriedades importantes que o tornam ideal para aplicações optoeletrônicas avançadas, particularmente em tecnologias de comunicação e detecção de alta velocidade.

Alta condutividade elétrica:

  • OSubstrato de GaAs de tipo nO VCSEL possui uma excelente condutividade elétrica, permitindo uma injecção eficiente do portador nas regiões activas do VCSEL.

Baixa densidade de defeitos:

  • O substrato de GaAs tem tipicamente umbaixa densidade de deslocamento, que é crucial para dispositivos de alto desempenho, garantindo a uniformidade e a confiabilidade dos conjuntos VCSEL.

Alta condutividade térmica:

  • O GAAs forneceboa condutividade térmica, permitindo uma eficiente dissipação de calor durante a operação de alta potência, tornando-o adequado para aplicações contínuas e de alta velocidade.

Tonabilidade por comprimento de onda:

  • Os epiwafers VCSEL cultivados em substratos de N-GaAs podem ser adaptados para emitir luz em comprimentos de onda específicos, geralmente850 nme940 nm, que são ideais para comunicação por fibra óptica e detecção 3D.

Emissão vertical:

  • Oestrutura de cavidade verticalO uso de VCSELs permite a emissão de luz perpendicular à superfície da bolacha, permitindo uma integração eficiente em matrizes e tornando a bolacha ideal para dispositivos ópticos compactos e de alta densidade.

Escalabilidade:

  • O substrato N-GaAs suportaprodução em grande volume e de baixo custo, tornando-a uma escolha atraente para as indústrias de electrónica de consumo, automóveis e telecomunicações.

Estabilidade de temperatura:

  • VCSELs em substratos de GaAs exibemdesempenho estável em temperaturas variáveis, garantindo uma operação fiável em ambientes exigentes, como centros de dados e veículos autónomos.

Essas propriedades tornam o epiwafer N-GaAs VCSEL ideal para aplicações que exigem desempenho optoeletrônico de alta velocidade, eficiente e confiável.

Epiwafer VCSEL com substrato de N-GaAs em ZMSH

OEpiwafer VCSEL de substrato de N-GaAs (arseneto de gálio do tipo n)É um componente vital para a fabricação de VCSELs, amplamente utilizado emComunicação óptica,Sensores 3D, eLIDARConstruído em N-GaAs, a bolacha fornece excelentecondutividade elétricae uma base sólida para o crescimento de camadas epitaxiais, permitindo a emissão de luz vertical de alta eficiência em comprimentos de onda como850 nme940 nm.

ZMSHfornece estas wafers de alta qualidade e garante a fiabilidade do produto através de métodos de teste avançados comoMapeamento PL,Mapeamento F-P, eModo cavidadeEstes testes ajudam a manter uma baixa densidade de defeito e a assegurar a uniformidade das placas, essencial para aplicações de alto desempenho.comprimentos de ondae configurações, tais comoVCSELs de junção única de 940 nm, satisfazendo diversas necessidades industriais.

Com o controlo de qualidade e a escalabilidade detalhados do ZMSH, estas placas são ideais para aplicações emCentros de dados,Eletrónica de consumo(por exemplo, reconhecimento facial), esistemas automóveis, que prevêRentabilidadeeconfiávelsoluções.

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