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bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si
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Especificações
Número de modelo :
4inch AlN
Lugar de origem :
China
MOQ :
2pc
Termos do pagamento :
L / C, T / T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Material :
AlN na bolacha
Método :
HVPE
Tamanho :
4inch
Espessura :
430+15um ou 650um
Indústria :
LD, conduzido, dispositivo do laser, detector,
Superfície :
lado dobro ou único lustrado
Descrição

bolacha do molde de AlN do nitreto do gálio 2inch, 4inch na safira ou sic as carcaças, bolacha do nitreto do gálio de HVPE, moldes de AlN

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

Tampa proibida da largura de banda (luminescente e absorção) o ultravioleta, a luz visível e o infravermelho.

Produto Filme do nitreto de alumínio (AlN)
Descrição do produto: AllN Epitxial propôs o método modelo de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro do saphhire. O filme do nitreto de alumínio é igualmente maneira eficaz na redução de custos de substituir a carcaça do único cristal de nitreto de alumínio. Do ramo do cristal boa vinda sinceramente seu inquérito!
Parâmetros técnicos:
Tamanho ± 2mm de 50mm
Orientação da carcaça da safira ± 1.0deg da c-linha central (0001)
Densidade macro do defeito <5cm-2>
Área de superfície disponível 90%
Tratamento de superfície antes Como crescido Epi-pronto
Recipiente Única microplaqueta

Especificações:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 “x1mm;

Pode ser personalizado de acordo com a orientação e o tamanho especiais da procura dos clientes.
Empacotamento do padrão: saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa

bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si


Especificações:

4" moldes de AlN do tamanho 2-4inch aprovação igualmente
Artigo AlN-T
Dimensões Ф 100±0.3mm
Carcaça Safira, sic, GaN
Espessura 1000nm+/- 10% (espessura de AlN)
Orientação ± 1° da C-linha central (0001)
Tipo da condução Semi-isolamento
Densidade de deslocação XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Área de superfície útil > 80%
Polonês Padrão: SSP
Opção: DSP
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de 25pcs ou de únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. ou únicas gavetas.

Outro faz sob medida 5x5mm aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch igualmente pode ser personalizado.

Sobre nossa equipe

ZMKJ localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China,

e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014, mas no material do semicondutor,

tenha a boa experiência para quase 10years.
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais nas bolachas, nas carcaças e no vidro ótico custiomized parts.components amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica electrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.
É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.


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4inch AlN
Lugar de origem :
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MOQ :
2pc
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Tempo de entrega :
2-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
única caixa da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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