MachineU > Produtos da China > Minerais e Metalurgia > Metais e produtos metálicos > Metal duro
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
Especificações
Número do modelo :
Substrato SiC
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
4-6 semanas
Materiais :
monocristal SiC
Tipo :
4H-P / 6H-P
Tamanho :
4 polegadas
Grau :
Prime/ Dummy
personalizado :
Apoio
Cor :
Negro
Descrição

Substrato de SiC, Substrato de Carbono de Silício, Substrato de Carbono de Silício em bruto, Substrato de Carbono de Silício em bruto, Grau Prime, Grau Dummy, Substrato de SiC 4H-P, Substrato de SiC 6H-P, 3C-N SiC 2 polegadas SiC, 4 polegadas SiC, 6 polegadas SiC,8 polegadas de SiC, 12 polegadas SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI

Sobre o substrato SiC de tipo P

- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos

- um cristal hexagonal (4H SiC), obtido a partir de monocristal SiC

- alta dureza, dureza de Mohs chega a 9.2, só atrás do diamante.

- excelente condutividade térmica, adequada para ambientes de alta temperatura.

- características de banda larga, adequadas para dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potência.

Descrição do substrato SiC do tipo P

O substrato SiC do tipo P é um material semicondutor importante amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência.O substrato SiC do tipo P apresenta características do tipo P, o que permite ao material proporcionar uma boa condutividade elétrica e uma elevada concentração de portadores.A sua excelente condutividade térmica e a sua elevada tensão de ruptura permitem-lhe manter um desempenho estável em condições extremas.


O substrato SiC de tipo P possui excelente estabilidade a altas temperaturas e resistência à radiação e pode funcionar normalmente em ambientes de alta temperatura.Os substratos de 4H-SiC apresentam menores perdas de energia sob campos elétricos elevados e são adequados para utilização em veículos elétricosAlém disso, a excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a eficiência de dissipação de calor do dispositivo e prolongar a sua vida útil.


Os substratos de SiC de tipo P são amplamente utilizados em dispositivos de energia, dispositivos de RF e dispositivos optoeletrônicos.

Eles são frequentemente usados para fabricar dispositivos como MOSFETs e IGBTs de tipo P para atender às necessidades de alta voltagem, alta temperatura e alta frequência.Os substratos de SiC do tipo 4H-P desempenharão um papel cada vez mais importante na futura electrónica de potência e redes inteligentes.

Detalhes do substrato SiC do tipo P

Propriedade

 Tipo P 4H-SiC, cristal único Tipo P 6H-SiC, cristal único
Parâmetros da malha a=3,082 Å c=10,092 Å

a=3,09 Å

c=15,084 Å
Sequência de empilhamento ABCB ACBABC
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 30,23 g/cm3 30,0 g/cm3
Coeficiente de expansão térmica 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis)
Índice de refração @750nm no = 2.621 ne = 2.671 não=2.612 ne=2.651
Constante dielétrica c~9.66 c~9.66

Conductividade térmica

3 a 5 W/cm·K@298K

3 a 5 W/cm·K@298K
Falta de frequência 3.26 eV 30,02 eV
Campo elétrico de ruptura 2-5×106V/cm 2-5×106V/cm

Velocidade da deriva de saturação

 2.0×105m/s 2.0×105m/s

amostras de substrato SiC de tipo P

4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de gestão, equipamento de processamento de precisão e instrumentos de teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no processamento de produtos não-padrão.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.

Recomendações de produtos similares

1.4H-SEMI Substrato de carburo de silício SiC 2 polegadas espessura 350um 500um P Grau D Grau SiC Wafer

4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

2. 2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidação seca húmida 100nm 300nm

4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

Perguntas frequentes

1P: Em comparação com o N-Type, o que dizer do P-Type?

R: Os substratos P-Type 4H-SiC, dopados com elementos trivalentes como o alumínio, têm furos como portadores majoritários, proporcionando boa condutividade e estabilidade a altas temperaturas.Substratos do tipo N, dopados com elementos pentavalentes como o fósforo, têm elétrons como portadores majoritários, o que normalmente resulta em maior mobilidade eletrônica e menor resistividade.

2Q: Quais são as perspectivas de mercado para o P-Type SiC?
R: As perspectivas de mercado para o SiC do tipo P são altamente positivas, impulsionadas pela crescente procura de componentes eletrónicos de potência de alto desempenho para veículos eléctricos, sistemas de energia renovável,e aplicações industriais avançadas.

Envie sua mensagem para este fornecedor
Envie agora

4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

Pergunte o preço mais recente
Detalhes do produto
Número do modelo :
Substrato SiC
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
4-6 semanas
Materiais :
monocristal SiC
Tipo :
4H-P / 6H-P
Fornecedor de contacto
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V
4H-P Substrato de carburo de silício SiC Wafer SIC de 4 polegadas 6H-P para deposição de nitritos III-V

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
Verified Supplier
Descubra produtos similares
Veja mais
Assista a vídeos relacionados

Encontre produtos semelhantes por categoria:

Página inicial do fornecedor Produtos
MachineU Produtos da China Minerais e Metalurgia Metais e produtos metálicos Metal duro
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão