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InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer para detecção inteligente
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Especificações
Número do modelo :
Bolacha do InP
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Materiais :
Fósforo de ínio
Tamanho :
2 polegadas / 3 polegadas
Espessura :
personalizado
dopante :
Fe/ Si
orientação :
O número de unidades de produção é:
Tipo :
Semi-tipo
Descrição

Wafer epitaxial de 2 polegadas de fosfato de ídio semi-isolante InP para diodo laser LD, wafer epitaxial semicondutor, wafer InP de 3 polegadas, wafer de cristal único,Wafer semicondutor, InP Laser Epitaxial Wafer

Características da bolacha epitaxial a laser InPInP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer para detecção inteligente

- utilizar as bolhas InP para a fabricação de

- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos

- banda directa, emitem luz de forma eficiente, utilizadas em lasers.

- na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, estruturas de poços quânticos

- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravação, metalização e embalagem para obter a forma final do dispositivo

Mais informações sobre o InP Laser Epitaxial wafer

As placas epitaxiais InP são filmes finos de alta qualidade baseados em materiais de fosfeto de ínio (InP), que são amplamente utilizados no fabrico de optoeletrônicos e dispositivos eletrônicos de alta frequência.

Cultivados em substratos InP por técnicas como a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) ou a epitaxia por feixe molecular (MBE),As placas epitaxial têm excelente qualidade cristalina e espessura controlável.

As características diretas de bandgap desta bolacha epitaxial fazem com que ela funcione bem em lasers e fotodetectores, especialmente para aplicações de comunicação óptica no 1,3 μm e 1.Faixa de comprimento de onda de 55 μm, assegurando a transmissão de dados de baixa perda e largura de banda elevada.

Ao mesmo tempo, a alta mobilidade eletrônica e as características de baixo ruído das placas epitaxiais InP também lhe dão vantagens significativas em aplicações de alta velocidade e alta frequência.

Além disso, com o desenvolvimento contínuo dos circuitos optoelectrónicos integrados e da tecnologia de comunicação de fibra óptica,As perspectivas de aplicação das placas epitaxiais InP estão a tornar-se cada vez mais amplas., e tornou-se um material indispensável e importante nos modernos dispositivos e sistemas optoeletrônicos.

A sua aplicação em sensores,A indústria dos lasers e de outros dispositivos eletrónicos de alto desempenho tem promovido o avanço das tecnologias conexas e lançado as bases para futuras inovações científicas e tecnológicas..

Detalhes da bolacha epitaxial a laser InP

Parâmetros do produto Wafer epitaxial DFB Wafer epitaxial DFB de alta potência Wafer epitaxial de fotônica de silício
Taxa 10G/25G/50G / /
comprimento de onda 1310 nm
tamanho 2/3 de polegada
Características do produto CWDM 4/PAM 4 BH tech PQ /AlQ DFB
PL Controle do comprimento de onda Melhor do que 3nm
LPL Uniformidade do comprimento de onda O STD.Dev é melhor do que 1nm @inner
Controle da espessura 42mmMelhor que +3%
Uniformidade da espessura Melhor do que +3% @inner 42mm
Controle de doping Melhor que +10%
Dopagem P-lnP (cm-3) Zn dopado; 5e17 a 2e18
Dopagem N-InP (cm-3) Si dopado; 5e17 a 3e18

Mais amostras de InP Laser Epitaxial Wafer

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* Aceitamos os requisitos personalizados

Sobre nós e a embalagem
Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de gestão, equipamento de processamento de precisão e instrumentos de teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no processamento de produtos não-padrão.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.
Sobre a embalagem
Dedicados a ajudar os nossos clientes, usamos folha de alumínio para proteger da luz
Aqui estão algumas fotos.
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Perguntas frequentes

1P: E quanto ao custo das placas epitaxial a laser InP em comparação com outras placas?

R: O custo das bolhas epitaxial a laser InP tende, em geral, a ser mais elevado do que o de outros tipos de bolhas, como o silício ou o arsênio de gálio (GaAs).

2P: E quanto às perspectivas futuras deInP laser epitaxialÓleos essenciais?
R: As perspectivas futuras das wafers epitaxiais a laser InP são bastante promissoras.

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Local de origem :
China
Condições de pagamento :
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Tempo de entrega :
2-4 semanas
Materiais :
Fósforo de ínio
Tamanho :
2 polegadas / 3 polegadas
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