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4 polegadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 polegadas 8 polegadas Dureza 9,0 Mohs Para Potência RF LED
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Especificações
Número do modelo :
Wafers de GaN sobre Si
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Prazo de entrega :
2-4 semanas
Materiais :
Camada de GaN no substrato sI
Tamanho :
4 polegadas, 6 polegadas 8 polegadas
orientação :
< 111>
Espessura :
500um/ 650um
Dureza :
90,0 Mohs
Personalização :
Apoio
Descrição

GaN em Wafer Composto de Si, Wafer de Si, Wafer de Silício, Wafer Composto, GaN em Substrato de Si, Substrato de Carbono de Silício, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, camada de nitreto de gálio (GaN) no substrato de Silício (Si)

Características do GaN na wafer de Si

4 polegadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 polegadas 8 polegadas Dureza 9,0 Mohs Para Potência RF LED
  • utilizar GaN em wafers compostos de Si para fabricação

  • Apoiar os personalizados com obras de arte de design

  • de alta qualidade, adequado para aplicações de alto desempenho

  • Alta dureza e alta eficiência, com alta densidade de potência

  • amplamente utilizado em energia elétrica, dispositivos de RF, 5G e além, etc.

Mais sobre o GaN na wafer de Si

O GaN-on-Si é um material semicondutor que combina as vantagens do nitruro de gálio (GaN) e do silício (Si).

O GaN possui as características de largura de banda, alta mobilidade eletrônica e resistência a altas temperaturas, o que o torna com vantagem significativa em aplicações de alta frequência e alta potência.

No entanto, os dispositivos GaN tradicionais são geralmente baseados em materiais de substrato caros, como safira ou carburo de silício.

Em contrapartida, o GaN-on-Si utiliza wafers de silício de menor custo e de maior dimensão como substratos, reduzindo consideravelmente os custos de produção e melhorando a compatibilidade com os processos existentes à base de silício.

Este material é amplamente utilizado em eletrônica de potência, dispositivos de RF e optoeletrônica.

Por exemplo, os dispositivos GaN-on-Si demonstraram um excelente desempenho na gestão de energia, comunicações sem fio e iluminação de estado sólido.

Além disso, com o avanço da tecnologia de fabrico, espera-se que o GaN-on-Si substitua os dispositivos tradicionais à base de silício numa gama mais ampla de aplicações,Promoção da miniaturização e da eficiência dos dispositivos eletrónicos.

Informações adicionaisGaN em SiOrifícios

Categoria de parâmetros Parâmetro Valor/Range Observação
Propriedades do material Largura de banda GaN 3.4 eV Semicondutores de banda larga, adequados para aplicações de alta temperatura, alta tensão e alta frequência
Largura do fosso de faixa do silício (Si) 1.12 eV O silício como material de substrato proporciona uma melhor relação custo/eficácia
Conductividade térmica 130-170 W/m·K A condutividade térmica da camada de GaN e do substrato de silício é de cerca de 149 W/m·K
Mobilidade dos elétrons 1000-2000 cm2/V·s A mobilidade eletrônica da camada GaN é maior do que a do silício
Constante dielétrica 9.5 (GaN), 11.9 (Si) Constantes dielétricas de GaN e Silício
Coeficiente de expansão térmica 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) Os coeficientes de expansão térmica do GaN e do silício não coincidem, o que pode causar estresse.
Constante de rede 3.189 Å (GaN), 5.431 Å (Si) As constantes de rede de GaN e Si não são correspondidas, o que pode levar a deslocações
Densidade de deslocamento 108-109 cm−2 Densidade de deslocação típica de uma camada de GaN, dependendo do processo de crescimento epitaxial
Dureza mecânica 9 Mohs A dureza mecânica do nitreto de gálio proporciona resistência ao desgaste e durabilidade
Especificações da bolacha Diâmetro da bolacha 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas Tamanhos comuns de wafer GaN-on-Si
Espessura da camada de GaN 1 a 10 μm Depende dos requisitos específicos da aplicação
Espessura do substrato 500-725 μm Espessura típica do substrato de silício, suportando a resistência mecânica
A rugosidade da superfície < 1 nm RMS A rugosidade da superfície após o polimento garante um crescimento epitaxial de alta qualidade
Altura do degrau < 2 nm A altura do passo da camada GaN afeta o desempenho do dispositivo
Página de guerra < 50 μm A curvatura da bolacha afeta a compatibilidade do processo de fabricação
Propriedades elétricas Concentração de elétrons 1016-1019 cm−3 concentração dopante de tipo n ou p da camada de GaN
Resistividade 10−3-10−2 Ω·cm Resistividade típica das camadas de GaN
Quebra de campo elétrico 3 MV/cm A alta resistência do campo elétrico de quebra da camada GaN é adequada para dispositivos de alta tensão
Desempenho óptico Comprimento de onda de emissão 365-405 nm (luz UV/luz azul) O comprimento de onda de emissão de materiais GaN, utilizados em dispositivos optoeletrônicos como LEDs e lasers
Coeficiente de absorção ~ 104 cm−1 Coeficiente de absorção do material de GaN na faixa de luz visível
Propriedades térmicas Conductividade térmica 130-170 W/m·K A condutividade térmica da camada de GaN e do substrato de silício é de cerca de 149 W/m·K
Coeficiente de expansão térmica 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) Os coeficientes de expansão térmica do GaN e do silício não coincidem, o que pode causar estresse.
Propriedades químicas Estabilidade química alto O nitreto de gálio tem boa resistência à corrosão e é adequado para ambientes adversos
Tratamento de superfície Sem poeira e sem poluição Requisitos de limpeza da superfície da bolacha de GaN
Propriedades mecânicas Dureza mecânica 9 Mohs A dureza mecânica do nitreto de gálio proporciona resistência ao desgaste e durabilidade
Modulo de Young 350 GPa (GaN), 130 GPa (Si) Modulo de Young de GaN e silício, afetando as propriedades mecânicas do dispositivo
Parâmetros de produção Método de crescimento epitaxial MOCVD, HVPE, MBE Métodos comuns para o crescimento epitaxial das camadas de GaN
Rendimento Depende do controlo do processo e do tamanho da bolacha A taxa de rendimento é afetada por fatores como a densidade de deslocamento e a curvatura
Temperatura de crescimento 1000-1200°C Temperaturas típicas para o crescimento epitaxial das camadas de GaN
Taxa de arrefecimento Frigorífico controlado Para evitar tensão térmica e deformação, a taxa de resfriamento é geralmente controlada

Amostragens deGaN em SiOrifícios

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*Enquanto isso, se tiver quaisquer requisitos adicionais, sinta-se à vontade para nos contactar para personalizar um.

Sobre nós e a caixa de embalagem
Sobre nós
A nossa empresa, ZMSH, é especializada na investigação, produção, processamento e venda de substratos de semicondutores e materiais de cristal óptico.
Temos uma equipa de engenheiros experientes, conhecimentos de gestão, equipamento de processamento de precisão e instrumentos de teste,fornecendo-nos capacidades extremamente fortes no processamento de produtos não-padrão.
Podemos pesquisar, desenvolver e projetar vários novos produtos de acordo com as necessidades do cliente.
A empresa aderirá ao princípio de "centrada no cliente, baseada na qualidade" e se esforçará para se tornar uma empresa de alta tecnologia de primeira linha no campo dos materiais optoeletrônicos.
Sobre a caixa de embalagem
Empenhados em ajudar os nossos clientes, usamos plástico espumado para embalar.
Aqui estão algumas fotos.
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Perguntas frequentes

1Q: O que dizer do custo do GaN em wafers de Si em comparação com outras wafers?

R: Em comparação com outros materiais de substrato, como o carburo de silício (SiC) ou a safira (Al2O3), as placas GaN à base de silício apresentam vantagens de custo óbvias, especialmente no fabrico de placas de grande porte.

2Q: E quanto às perspectivas futuras do GaN em wafers de Si?
R: As wafers GaN on Si estão gradualmente substituindo a tecnologia tradicional à base de silício devido ao seu desempenho eletrônico superior e à sua relação custo-eficácia.e desempenham um papel cada vez mais importante em muitos dos domínios acima referidos..

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Detalhes do produto
Número do modelo :
Wafers de GaN sobre Si
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Prazo de entrega :
2-4 semanas
Materiais :
Camada de GaN no substrato sI
Tamanho :
4 polegadas, 6 polegadas 8 polegadas
Fornecedor de contacto
4 polegadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 polegadas 8 polegadas Dureza 9,0 Mohs Para Potência RF LED
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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