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Montagem SOT-227 do chassi do módulo única 1200V 169A 781W do transistor de VS-GT90DA120U IGBT
Montagem SOT-227 do chassi do módulo única 1200V 169A 781W do transistor de VS-GT90DA120U IGBT
Especificações
Number modelo :
VS-GT90DA120U
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
169 A
Potência - Máx. :
781 W
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
2.6V @ 15V, 75A
Corrente - Corte do Coletor (Máx.) :
100 µA
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Descrição

O campo da trincheira do módulo de VS-GT90DA120U IGBT para a única montagem SOT-227 de 1200 chassis de V 169 A 781 W

Módulos de poder dos semicondutores IGBT de Vishay

A tecnologia da pinta IGBT da trincheira da característica dos módulos de poder dos semicondutores IGBT de Vishay e é alinhada para máquinas de soldadura do TIG. Este IGBTs combina HEXFRED® e tecnologia do diodo do ® de FRED Pt e encontra padrões do UL. A característica de INT-A-PAK em algumas variações permite projetos com exigências limitadas da altura que exigem tensões e correntes altas. O pacote de EMIPAK-2B caracteriza os pinos PressFit e uma carcaça exposta para o desempenho térmico melhorado. A disposição aperfeiçoada ajuda a minimizar parâmetros dispersos, permitindo o melhor desempenho do IEM. Os módulos de poder dos semicondutores IGBT de Vishay são usados nas aplicações tais como movimentações do motor do dispositivo, movimentações do motor do veículo elétrico, inversores solares, fontes de alimentação ininterrupta (UPS), e conversores da correção de fator de poder.

CARACTERÍSTICAS

  • Tecnologia da pinta IGBT da trincheira
  • variações da tecnologia da parada da trincheira 1200V e de campo
  • Diodos antiparalelos de FRED Pt com recuperação rápida
  • Tecnologia PressFit dos pinos
  • Diodo antiparalelo de HEXFRED com características reversas ultrasoft da recuperação
  • Carcaça Al2O3 exposta com baixa resistência térmica
  • Termistor integrado
  • Baixas indutâncias internas
  • Baixa perda de comutação
  • Short-circuit avaliado
  • Quadrado RBSOA
  • Pacote inteiramente isolado
  • Indutância interna muito baixa
  • Esboço do padrão do setor
  • O UL aprovou o arquivo E78996
  • Baixo VCE (sobre)
  • Al2O3DBC
  • Projetado para o nível industrial

APLICAÇÕES

  • Soldadura de alta frequência industrial
  • Soldadura de TIG
  • UPS
  • Inversores solares
  • fontes de alimentação do Interruptor-modo (SMPS)
  • Correção de fator de poder (PFC)
  • Aquecimento de indução
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Montagem SOT-227 do chassi do módulo única 1200V 169A 781W do transistor de VS-GT90DA120U IGBT

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Detalhes do produto
Number modelo :
VS-GT90DA120U
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
169 A
Potência - Máx. :
781 W
Fornecedor de contacto
Montagem SOT-227 do chassi do módulo única 1200V 169A 781W do transistor de VS-GT90DA120U IGBT

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
3000000-5000000
Número de trabalhadores :
10~20
Nível de certificação :
Verified Supplier
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