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Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo
Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo
Especificações
Number modelo :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
91 A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
200 A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
2V @ 15V, 50A
Potência - Máx. :
278 W
Energia de comutação :
1.7mJ (sobre), 600µJ (fora)
Descrição

Parada de campo 650 V da trincheira de WG50N65DHWQ IGBT 91 A 278 W através do furo TO-247-3

Semicondutores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn

Os semicondutores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn são uns 650V/50A de alta velocidade IGBT com um diodo antiparalelo em um pacote TO247. Este IGBT oferece de alta velocidade com baixas perdas do interruptor e as características alisam o comportamento de comutação que evita a tensão ultrapassa e reduzem o sistema IEM. O WG50N65DHWQ IGBT caracteriza a tecnologia da campo-parada da porta da trincheira e oferece a baixa resistência térmica. Este IGBT vem em um pacote halogênio-livre, caracteriza um revestimento Pb-livre da ligação, e é RoHS complacente. As aplicações típicas incluem a correção de fator de poder, conversor de solda, inversor solar. inversor industrial, e UPS.

CARACTERÍSTICAS

  • De alta velocidade com baixas perdas de comutação
  • Diodo antiparalelo da recuperação rápida e macia
  • V positivoCE (se sentou)coeficiente de temperatura
  • Diodo antiparalelo da recuperação rápida e macia
  • Qualificou de acordo com JEDEC e cumpre a exigência da inflamabilidade UL94V0
  • O comportamento de comutação liso evita a tensão ultrapassa e reduz o sistema IEM
  • pacote Halogênio-livre e revestimento Pb-livre da ligação
  • RoHS complacente
  • Baixa resistência térmica
  • Baixo VCE (se sentou)e baixas perdas de comutação
  • Tecnologia da campo-parada da porta da trincheira

ESPECIFICAÇÕES

  • -55°C à variação da temperatura de funcionamento da junção 150°C
  • tensão V do Coletor-emissor 650VCE
  • corrente de coletor I da C.C. 50AC

APLICAÇÕES

  • Correção de fator de poder
  • Conversor de solda
  • Inversor solar
  • Inversor industrial
  • UPS

DESENHO MECÂNICO

Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo
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Detalhes do produto
Number modelo :
WG50N65DHWQ
MOQ :
50pcs
Capacidade da fonte :
1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :
650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :
91 A
Atual - coletor pulsado (Icm) :
200 A
Fornecedor de contacto
Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2020
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
3000000-5000000
Número de trabalhadores :
10~20
Nível de certificação :
Verified Supplier
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