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Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
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Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Especificações
Number modelo :
IRF1404ZPBF
Lugar de origem :
China
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Detalhes de empacotamento :
pacote padrão
Família :
Produtos de semicondutores discretos
Categoria :
Componentes Eletrônicos-MOSFET (óxido metálico)
Série :
HEXFET MOSFET (óxido metálico)
Número da peça baixa :
IRF1404
Detalhes :
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB
Tipo :
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Pacote :
TO220
Montando o tipo :
Através do furo
Resíduos :
Em estoque
Descrição

Transistores IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Orifício de Passagem TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

N-Canal 180A (Tc) 200W (Tc) Orifício de Passagem TO-220AB Especificação:

Categoria
Produtos de semicondutores discretos
　
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Mfr
Tecnologias Infineon
Series
HEXFET®
Pacote
Tubo
Tipo FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de Energia (Máx.)
200 W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Através do orifício
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF1404

Descrição

Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.

As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.

Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Status do ALCANCE REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Número da peça IRF1404ZPBF
Número da peça básica IRF1404
RoHS da UE Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA) EAR99
Status da peça Ativo
HTS 8541.29.00.95

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Detalhes do produto
Number modelo :
IRF1404ZPBF
Lugar de origem :
China
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Fornecedor de contacto
Transistor de canal N IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Anos
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
80 millions-500 millions
Número de trabalhadores :
20~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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Fornecedor de contacto
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