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Semicondutores discretos BJT do transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
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Especificações
Number modelo :
PBHV8540X, 115
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Detalhes de empacotamento :
pacote padrão
Família :
Produtos de semicondutores discretos
Categoria :
Componente-transistor eletrônicos
Número da peça baixa :
PBHV8540
Detalhes :
Transistor (BJT) bipolar NPN 400 V 500 miliampère 30MHz 520 mW
Tipo :
Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Descrição :
Transporte NPN 400V 0.5A SOT89
Pacote :
SOT-89
Montando o tipo :
Montagem de superfície
Resíduos :
Em estoque
Descrição

Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UM NPN transistor de alta tensão de NPN um baixo VCEsat (BISS)

Transistor de alta tensão discreto dos produtos-Um NPN baixo VCEsat do semicondutor (BISS)

Descrição:

Descoberta de alta tensão de NPN baixa VCEsat no transistor pequeno do sinal (BISS) (SC-62) em um poder SOT89 médio e ligação lisa em um pacote plástico Superfície-montado do dispositivo (SMD). Complemento de PNP: PBHV9040X.

Aplicação:

• Motorista do diodo emissor de luz para o módulo da corrente do diodo emissor de luz

• Backlighting do LCD

• Gestão automotivo do motor

• Interruptor do gancho para telecomunicações prendidas

• Fonte de alimentação do modo do interruptor (SMPS)

Características:

• Alta tensão

• Baixa tensão de saturação VCEsat do coletor-emissor

• Capacidade alta IC e ICM da corrente de coletor

• HFE alto do ganho atual de coletor em IC alto

• AEC-Q101 qualificou

Versão da descrição do nome

Pacote superfície-montado plástico de PBHV8540X SOT89; morre a almofada para a boa transferência térmica; 3 ligações

Especificações técnicas do produto

Categoria
Produtos de semicondutor discretos
　
Transistor - bipolares (BJT) - únicos
Mfr
Nexperia EUA Inc.
Estado da parte
Ativo
Tipo do transistor
NPN
Atual - coletor (CI) (máximo)
500 miliampères
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)
400 V
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI
250mV @ 60mA, 300mA
Atual - interrupção do coletor (máxima)
100nA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce
100 @ 50mA, 10V
Poder - máximo
520 mW
Frequência - transição
30MHz
Temperatura de funcionamento
150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote/caso
TO-243AA
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-89
Número baixo do produto
PBHV8540
Número da peça PBHV8540X, 115
UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
HTS 8541.29.00.95

Imagens:

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Detalhes do produto
Number modelo :
PBHV8540X, 115
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Fornecedor de contacto
Semicondutores discretos BJT do transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Anos
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
80 millions-500 millions
Número de trabalhadores :
20~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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