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IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência
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Especificações
Number modelo :
IHW30N160R2FKSA1
Lugar de origem :
China
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Detalhes de empacotamento :
pacote padrão
Família :
Produtos de semicondutores discretos
Categoria :
Componentes Eletrônicos - Transistores IGBTs
TIPO IGBT :
NPT, Parada de Campo de Trincheira
Número da peça baixa :
H30R1602
Detalhes :
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Aplicações :
Cozimento indutivo ，Aplicações de comutação suave
Descrição :
IGBT NPT, Parada de Campo de Vala 1600 V 60 A 312 W Orifício de Passagem PG-TO247-3-1
Pacote :
TO247
Montando o tipo :
Através do furo
Resíduos :
Em estoque
Descrição

IHW30N160R2 Transistores IGBTs H30R1602 Série de comutação suave Semicondutores de potência IC IHW30N160R2FKSA1Série de comutação suave

Formulários:
• Cozimento Indutivo
• Aplicativos de comutação suave

Descrição:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT com diodo de corpo monolítico
Recursos:
• Diodo de corpo monolítico poderoso com tensão direta muito baixa
• O diodo do corpo prende as tensões negativas
• A tecnologia Trench and Fieldstop para aplicações de 1600 V oferece:
- distribuição de parâmetros muito apertada
- alta robustez, comportamento estável à temperatura
• A tecnologia NPT oferece fácil capacidade de comutação paralela devido a
coeficiente de temperatura positivo em VCE(sat)
• Baixa EMI
• Qualificado de acordo com JEDEC1
para aplicativos de destino
• Chapeamento de chumbo sem Pb;Compatível com RoHS

Especificação: IGBT NPT, Parada de Campo de Trincheira 1600 V 60 A 312 W Orifício de Passagem PG-TO247-3-1

Número da peça IHW30N160R2
Categoria
Produtos de semicondutores discretos
　
Transistores - IGBTs - Simples
Series
TrenchStop®
Pacote
Tubo
Tipo IGBT
NPT, Parada de Campo de Trincheira
Voltagem - Avaria do Emissor do Coletor (Máx.)
1600 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2,1 V @ 15 V, 30 A
Potência - Máx.
312 W
Energia de comutação
4,37mJ
Tipo de entrada
Padrão
Taxa de Portão
94 nC
Td (ligado/desligado) @ 25°C
-/525ns
Condição de teste
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Através do orifício
Pacote / Estojo
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-1

Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
Status do ALCANCE REACH não afetado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Número da peça IHW30N160R2FKSA1
Número da peça básica IHW30N160R2
RoHS da UE Em conformidade com a isenção
ECCN (EUA) EAR99
Status da peça Ativo
HTS 8541.29.00.95

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potênciaIHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência

IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência

Suplentes (1):
IXGH24N170 IXYS
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Detalhes do produto
Number modelo :
IHW30N160R2FKSA1
Lugar de origem :
China
MOQ :
10pieces
Termos do pagamento :
T/T, Western Union
Capacidade da fonte :
500000PCS
Prazo de entrega :
2-15days
Fornecedor de contacto
IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semicondutor de potência
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
5 Anos
hongkong, shenzhen
Desde 2006
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
Chip PMIC, CI de circuitos integrados, Componentes eletrônicos
Total Anual :
80 millions-500 millions
Número de trabalhadores :
20~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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