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CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP Tecnologias Infineon
CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP Tecnologias Infineon
Especificações
Número do modelo :
CY7C1356C-250AXC
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Síncrono, SDR
Tamanho de memória :
9Mbit
Organização da memória :
512K x 18
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
250 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
2.8 ns
Voltagem - Fornecimento :
3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
100-LQFP
Pacote de dispositivos do fornecedor :
100-TQFP (14x20)
Descrição

Detalhes do produto

Descrição funcional

As SRAMs CY7C1354A e CY7C1356A são concebidas para eliminar ciclos mortos na transição de leitura para escrita ou vice-versa.Estas SRAMs são otimizadas para 100% de utilização do bus e alcançam Zero Bus LatencyTM (ZBLTM) /No Bus LatencyTM (NoBLTM). Eles integram células SRAM 262.144 × 36 e 524.288 × 18, respectivamente, com circuitos periféricos síncronos avançados e um contador de dois bits para operação de rajada interna.projetos CMOS de baixa potência que utilizam polissilício de três camadas avançadoCada célula de memória consiste em quatro transistores e dois resistores de alto valor.

Características

• Zero Bus LatencyTM, sem ciclos mortos entre os ciclos de gravação e leitura
• Velocidade de relógio rápida: 200, 166, 133, 100 MHz
• Tempo de acesso rápido: 3.2, 3.6, 4.2, 5,0 ns
• As saídas registadas sincronizadas internamente eliminam a necessidade de controlar a EO
• Fonte de alimentação VCC única de 3,3 V ¥5% e +5%
• VCCQ separado para 3,3 V ou 2,5 V I/O
• Pino de comando WEN único (leitor/escritor)
• Registros de sinais de endereço, dados e controlo positivos acionados por clock-edge para aplicações totalmente ligadas
• Capacidade de interligação de quatro palavras
• Controle de gravação de byte individual (BWaBWd) (pode ser ligado LOW)
• Pino CEN para permitir o relógio e suspender as operações
• Três chips permitem uma simples expansão de profundidade
• Desligação automática disponível no modo ZZ ou seleção CE
• Análise dos limites do JTAG
• Pacotes TQFP de baixo perfil de 119 colisões, 14 mm × 22 mm BGA (Ball Grid Array) e 100 pinos

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série NoBLTM
Tipo Sincronizado
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Peso unitário 0.023175 onças
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 100 LQFP
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3.135 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 100 TQFP (14x20)
Capacidade de memória 9M (512K x 18)
Tipo de memória SRAM - Sincronizado
Velocidade 250 MHz
Taxa de dados DEG
Tempo de acesso 2.8 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento 0 C
Tipo de interface Paralelo
Organização 512 k x 18
Suporte-corrente-máximo 250 mA
Voltagem de alimentação máxima 3.6 V
Voltagem de alimentação-min 3.135 V
Embalagem TQFP-100
Frequência máxima do relógio 250 MHz
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
IDT71V65803S133PF
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MO-136, TQFP-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC versus IDT71V65803S133PF
CY7C1356A-133AC
Memória		 512KX18 ZBT SRAM, 4.2ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, PLASTICO, TQFP-100 Rochester Electronics LLC CY7C1356C-250AXC versus CY7C1356A-133AC
CY7C1356C-166AXC
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, livre de chumbo, PLASTICO, MS-026, TQFP-100 Semicondutor de cipreste CY7C1356C-250AXC versus CY7C1356C-166AXC
71V65803S133PFGI
Memória		 TQFP-100, bandeja Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC versus 71V65803S133PFGI
CY7C1356C-166AXI
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de altura, livre de chumbo, PLASTICO, MS-026, TQFP-100 Semicondutor de cipreste CY7C1356C-250AXC versus CY7C1356C-166AXI
IDT71V65803S133PFGI
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MO-136, TQFP-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC vs IDT71V65803S133PFGI
71V65803S133PFG
Memória		 TQFP-100, bandeja Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC versus 71V65803S133PFG
CY7C1356C-200AXI
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 3.2ns, CMOS, PQFP100, (14 X 20 X 1.4) MM, livre de chumbo, PLASTICO, TQFP-100 Semicondutor de cipreste CY7C1356C-250AXC versus CY7C1356C-200AXI
71V65803S133PFG8
Memória		 TQFP-100, bobina Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC versus 71V65803S133PFG8
IDT71V65803S133PFG
Memória		 ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MO-136, TQFP-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CY7C1356C-250AXC versus IDT71V65803S133PFG

Descrições

SRAM - Memória síncrona IC 9Mb (512K x 18) Paralela 250MHz 2.8ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 9Mb 250Mhz 512K x 18 SRAM por conduta
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Número do modelo :
CY7C1356C-250AXC
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
CY7C1356C-250AXC IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP Tecnologias Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
Circuito integrado IC, Módulo do RF IC, Gestão CI do poder
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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