Especificações
Número do modelo :
IS61NLP51236B-200B3LI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Síncrono, SDR
Tamanho de memória :
18Mbit
Organização da memória :
512K x 36
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
200 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
3 ns
Voltagem - Fornecimento :
3.135V ~ 3.465V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
165-TBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
165-TFBGA (13x15)
Descrição

Detalhes do produto

Descrição

A família de produtos NLP/NVP de 18 Meg apresenta RAMs estáticas síncronas de alta velocidade e baixa potência projetadas para fornecer um estado de espera explosivo, de alto desempenho, sem espera,Dispositivo para aplicações de redes e comunicaçõesSão organizadas como 256K palavras por 72 bits, 512K palavras por 36 bits e 1M palavras por 18 bits, fabricadas com a tecnologia avançada CMOS do ISSI.

Características

• 100% de utilização dos autocarros
• Sem ciclos de espera entre leitura e escrita
• Ciclo de gravação automático interno
• Controle de gravação de bytes individuais
• Pino de comando único R/W (Ler/Escrever)
• Controle por relógio, endereço registado, dados e controlo
• Controle de sequência de rajadas intercaladas ou lineares utilizando entrada MODE
• Três chips permitem uma simples expansão de profundidade e direção de tubulação
• Modo desligado
• Input e saída de dados comuns
• Pin de CKE para activar o relógio e suspender o funcionamento
• JEDEC 100 pin TQFP, 165- bola PBGA e 209- bola (x72) PBGA pacotes
• Fornecimento de energia:
NVP: VDD 2,5V (± 5%), VDDQ 2,5V (± 5%)
NLP: VDD 3.3V (± 5%), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)
• JTAG Boundary Scan para pacotes PBGA
• Temperatura industrial disponível
• Disponível sem chumbo

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante ISSI
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 165-TBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3.135 V ~ 3.465 V
Embalagem do produto do fornecedor 165-TFBGA (13x15)
Capacidade de memória 18M (512K x 36)
Tipo de memória SRAM - Sincronizado
Velocidade 200 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SRAM - Memória IC síncrona de 18 Mb (512K x 36) paralela de 200 MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin TFBGA
SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 SRAM sincronizada
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IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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Número do modelo :
IS61NLP51236B-200B3LI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão