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S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologias Infineon
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologias Infineon
Especificações
Número do modelo :
S29GL01GS11FHIV23
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Permanente
Formato da memória :
FLASH
Tecnologia :
FLASH - NEM
Tamanho de memória :
1Gbit
Organização da memória :
64M x 16
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
60ns
Tempo de acesso :
110 ns
Voltagem - Fornecimento :
1.65V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
64-LBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
64-FBGA (13x11)
Descrição

Detalhes do produto

Família de memórias não voláteis GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
Núcleo CMOS de 3,0 volts com E/S versátil

Descrição geral

Os Spansion® S29GL01G/512/256/128S são produtos flash MirrorBit Eclipse fabricados com tecnologia de processo de 65 nm.Estes dispositivos oferecem um tempo de acesso rápido à página de até 15 ns com um tempo de acesso aleatório correspondente de até 90 nsEles apresentam um Buffer de escrita que permite um máximo de 256 palavras/512 bytes a ser programado em uma operação, resultando infaster eficaz
O tempo de programação é mais curto do que o dos algoritmos de programação padrão, o que torna estes dispositivos ideais para aplicações embutidas de hoje, que exigem uma maior densidade, um melhor desempenho e um menor consumo de energia.

Características distintivas

Tecnologia de Eclipse MirrorBit de 65 nm
¢ Fornecimento único (VCC) para leitura / programação / apagamento (2,7V a 3,6V)
¢ Figura de E/S versátil
¢ Ampla faixa de tensão de entrada/saída (VIO): 1,65V a VCC
Bus de dados x16
¢ Leitura assíncrona de página de 32 bytes
Buffer de programação de 512 bytes
- Programação em múltiplos de página, até um máximo de 512 bytes
¢ Programa de palavra única e múltipla com opções de palavras
¢ Eliminação de setores
Sectores uniformes de 128 kb
Suspender e retomar comandos para operações de programação e apagamento
Registo de estado, sondagem de dados e métodos de pin Ready/Busy para determinar o estado do dispositivo
¢Proteção sectorial avançada (PSA)
Métodos de protecção voláteis e não voláteis para cada sector
¢ Separar 1024 bytes de programa de uma vez (OTP) matriz com duas regiões bloqueáveis
Tabela de parâmetros da Interface Flash Comum (CFI)
¢ Intervalo de temperaturas
️ Indústria (-40°C a +85°C)
️ Na cabine (-40°C a +105°C)
¥100.000 ciclos de apagamento para qualquer sector típico
¢ 20 anos de conservação dos dados
Opções de embalagem
¢ TSO de 56 pinos
¢ LAA de 64 bolas BGA fortificado, 13 mm x 11 mm
- 64 bolas LAE BGA reforçado, 9 mm x 9 mm
¢ VBU de 56 bolas BGA fortificado, 9 mm x 7 mm

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série GL-S
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 64-LBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.65 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor BGA de 64 mm de diâmetro (13x11)
Capacidade de memória 1G (64M x 16)
Tipo de memória FLASH - NÃO
Velocidade 110 ns
Memória de formato Flash
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
S29GL01GS11DHIV20
Memória		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11DHIV20
S29GL01GS11DHIV10
Memória		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, PACAGE Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS10DHI020
Memória		 Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, PACAGE Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10DHI020
S29GL01GS11DHI020
Memória		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11DHI020
S29GL01GS10DHI010
Memória		 Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, PACAGE Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10DHI010
S29GL01GS11DHI010
Memória		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11DHI010
S29GL01GS12DHIV10
Memória		 Flash, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 X 9 MM, sem halogênio e sem chumbo, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS12DHIV10
S29GL01GS10FHI010
Memória		 Flash, 64MX16, 100ns, PBGA64, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS10FHI010
S29GL01GS11FHIV10
Memória		 Flash, 64MX16, 110ns, PBGA64, FBGA-64 Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS11FHIV10
S29GL01GS11FHI010
Memória		 Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, Semicondutor de cipreste S29GL01GS11FHIV23 versus S29GL01GS11FHI010

Descrições

FLASH - NOR Memória IC 1Gb (64M x 16) Paralelo 110ns 64-Fortificado BGA (13x11)
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R
Memória flash 1G BIT, 3V, 110NS, FBGA 64-BALL, MODO PAGE Memória flash com tecnologia de processo MIRRORBIT de 65 nm, VIO, setor de endereço mais baixo protegido
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Número do modelo :
S29GL01GS11FHIV23
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologias Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
Circuito integrado IC, Módulo do RF IC, Gestão CI do poder
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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