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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp
Especificações
Número do modelo :
CY7C1350G-133BGXC
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Síncrono, SDR
Tamanho de memória :
4.5Mbit
Organização da memória :
128K x 36
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
133 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
4 ns
Voltagem - Fornecimento :
3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
119-BGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
119-PBGA (14x22)
Descrição

Detalhes do produto

Descrição funcional

A CY7C1350G é uma SRAM de rajada de 3,3 V, 128 K × 36 sincronizada por tubulação projetada especificamente para suportar operações de leitura/gravação verdadeiras e ilimitadas sem a inserção de estados de espera.O CY7C1350G está equipado com a lógica avançada No Bus LatencyTM (NoBLTM) necessária para permitir operações de leitura/escritura consecutivas com dados sendo transferidos em cada ciclo de relógioEsta característica melhora drasticamente a capacidade de transferência da SRAM, especialmente em sistemas que exigem frequentes transições de gravação/leitura.

Características

■ Compatível com pinos e funcionalmente equivalente aos dispositivos ZBTTM
■ Controle interno do buffer de saída auto-temporizado para eliminar a necessidade de utilizar o OE
■ Capacidade de gravação de bytes
■ 128 K × 36 arquitetura comum de E/S
■ 3,3 V de alimentação (VDD)
■ Fornecimento de energia de entrada/saída de 2,5 V / 3,3 V (VDDQ)
■ Tempos rápidos de clock-to-output
¢ 2,8 ns (para dispositivos de 200 MHz)
■ Clock enable (CEN) pin para suspender a operação
■ Escrita sincronizada
■ Ativar a saída assíncrona (OE)
■ Disponível no pacote TQFP de 100 pinos sem Pb, no pacote BGA de 119 bolas sem Pb e sem Pb
■ Capacidade de explosão  ordem de explosão linear ou intercalada
■ Opção de modo de sono ZZ

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série NoBLTM
Embalagem Caixa
Embalagem 119-BGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3.135 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 119-PBGA (14x22)
Capacidade de memória 4.5M (128K x 36)
Tipo de memória SRAM - Sincronizado
Velocidade 133 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SRAM - Memória síncrona IC 4.5Mb (128K x 36) Paralela 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp

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Detalhes do produto
Número do modelo :
CY7C1350G-133BGXC
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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