Especificações
Número do modelo :
CY7C1313KV18-250BZXI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Sincrono, QDR II
Tamanho de memória :
18Mbit
Organização da memória :
1M x 18
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
250 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
-
Voltagem - Fornecimento :
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
165-LBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
165-FBGA (13x15)
Descrição

Detalhes do produto

Descrição funcional

A CY7C1311KV18, a CY7C1911KV18, a CY7C1313KV18 e a CY7C1315KV18 são SRAMs sincrônicas de 1.8 V, equipadas com arquitetura QDR II. A arquitetura QDR II consiste em duas portas separadas:a porta de leitura e a porta de gravação para acessar a matriz de memóriaA porta de leitura tem saídas de dados dedicadas para suportar operações de leitura e a porta de gravação tem entradas de dados dedicadas para suportar operações de gravação.A arquitetura QDR II possui entradas e saídas de dados separadas para eliminar completamente a necessidade de "virar" o ônibus de dados que existe com dispositivos de E/S comuns.

Características

■ Portas de dados de leitura e gravação independentes
¢ Apoia transacções simultâneas
■ Relógio de 333 MHz para largura de banda elevada
■ Quatro palavras para reduzir a frequência do carrinho de endereços
■ Interfaces de taxa de dados dupla (DDR) nas portas de leitura e gravação (transmissão de dados a 666 MHz a 333 MHz)
■ Dois relógios de entrada (K e K) para um cronograma DDR preciso
O SRAM utiliza somente bordas ascendentes
■ Dois Relógios de Entrada para dados de saída (C e C) para minimizar a distorção do relógio e as incompatibilidades do tempo de voo
■ Os relógios de eco (CQ e CQ) simplificam a captura de dados em sistemas de alta velocidade
■ Bus de entrada de endereço multiplexado único
■ Selecção de portas separadas para expansão de profundidade
■ Gravações sincronizadas, com cronograma interno
■ O QDR® II funciona com uma latência de leitura de 1,5 ciclos quando o DOFF é declarado alto
■ Funciona de forma semelhante ao dispositivo QDR I, com uma latência de leitura de 1 ciclo quando o DOFF é afirmado LOW
■ Disponível em configurações ×8, ×9, ×18 e ×36
■ Consistência total dos dados, fornecendo os dados mais atualizados
■ VDD do núcleo = 1,8 V (±0,1 V); VDDQ de entrada/saída = 1,4 V para VDD
Suporte à alimentação I/O de 1,5 V e 1,8 V
■ Disponível no pacote FBGA de 165 bolas (13 × 15 × 1,4 mm)
■ Disponível em embalagens sem e sem Pb
■ Buffers de saída HSTL com acionamento variável
■ Porta de acesso de ensaio compatível com a JTAG 1149.1
■ PLL para colocação precisa de dados

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série CY7C1313KV18
Tipo Sincronizado
Embalagem Caixa
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 165-LBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor 165-FBGA (13x15)
Capacidade de memória 18M (1M x 18)
Tipo de memória SRAM - Sincrono, QDR II
Velocidade 250 MHz
Tempo de acesso 0.45 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Tipo de interface Paralelo
Organização 1 M x 18
Suporte-corrente-máximo 440 mA
Voltagem de alimentação máxima 1.9 V
Voltagem de alimentação-min 1.7 V
Embalagem FBGA-165
Frequência máxima do relógio 250 MHz
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
CY7C1313KV18-250BZC
Memória
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 Semicondutor de cipreste CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZC
CY7C1313KV18-250BZXC
Memória
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 Semicondutor de cipreste CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZXC
CY7C1313KV18-250BZI
Memória
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 Semicondutor de cipreste CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZI

Descrições

SRAM - IC de memória QDR II síncrona de 18 Mb (1M x 18) paralela a 250 MHz 165-FBGA (13x15)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
SRAM 18Mb 250Mhz 1,8V 1M x 18 QDR II SRAM
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CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Tecnologias Infineon

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Número do modelo :
CY7C1313KV18-250BZXI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Tecnologias Infineon

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão