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CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp
Especificações
Número do modelo :
CYD09S36V18-200BBXI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
SRAM
Tecnologia :
SRAM - Portos duplos, sincrono
Tamanho de memória :
9Mbit
Organização da memória :
256K x 36
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
200 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
-
Tempo de acesso :
3,3 ns
Voltagem - Fornecimento :
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
256-LBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
256-FBGA (17x17)
Descrição

Detalhes do produto

Resistores de precisão por eixo com chumbo

A gama Holco de resistores de película metálica de precisão atende à exigência de componentes de preço económico para aplicações industriais e militares.A instalação de fabrico utiliza processos de produção rigorosamente controlados, incluindo o revestimento por pulverização de películas de liga metálica em substratos cerâmicos.O material é revestido com uma camada de epóxi para proteção ambiental e mecânica.Comercialmente, a série está disponível em dois tamanhos de caixa, de 1 ohm a 4M ohms, tolerâncias de 0,05% a 1% e TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Oferecido com liberação para BS CECC 40101 004, 030 e 804, o H8 está disponível através da distribuição.

Características fundamentais

■ Ultraprecisão - até 0,05%
■ Os conjuntos correspondentes estão disponíveis até 2 ppm/°C
■ Resiste a pulsos elevados
■ Baixa reatividade
■ TCR baixo - até 5 ppm/°C
■ Estabilidade a longo prazo
■ Até 1 Watt a 70°C
■ Publicação ao CECC 40101 004, 030 e 804

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série CYD09S36V18
Tipo Sincronizado
Embalagem Caixa
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 256-LBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V
Embalagem do produto do fornecedor 256-FBGA (17x17)
Capacidade de memória 9M (256K x 36)
Tipo de memória SRAM - Portos duplos, sincrono
Velocidade 200 MHz
Taxa de dados DEG
Tempo de acesso 3.3 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Tipo de interface Paralelo
Organização 256 k x 36
Suporte-corrente-máximo 670 mA
Voltagem de alimentação máxima 1.9 V
Voltagem de alimentação-min 1.7 V
Embalagem FBGA-256
Frequência máxima do relógio 200 MHz

Descrições

SRAM - Dual Port, Memória síncrona IC 9Mb (256K x 36) Paralela 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 9M-Bit 256K x 36 9ns/5ns 256-Pin FBGA Tray
SRAM 9MB (256Kx36) 1,8v 200MHz SRAM sincronizada
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CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

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Detalhes do produto
Número do modelo :
CYD09S36V18-200BBXI
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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