Especificações
Número do modelo :
W979H2KBVX2I
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Temporário
Formato da memória :
GOLE
Tecnologia :
SDRAM - LPDDR2 móvel
Tamanho de memória :
512Mbit
Organização da memória :
16M x 32
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
400 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
15ns
Tempo de acesso :
-
Voltagem - Fornecimento :
1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
134-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :
A partir de 1 de janeiro de 2014:
Descrição

Detalhes do produto

Descrição geral

A W9712G6JB é uma DDR2 SDRAM de 128M bits, organizada em 2,097,152 palavras ×4 bancos ×16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.25IO -18 é compatível com a especificação DDR2-1066 (7-7-7).O -25/25I/25A são compatíveis com a especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (o grau industrial de 25I e o grau automotivo de 25A que é garantido para suportar -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)O -3 é compatível com a especificação DDR2-667 (5-5-5).

Características

Fornecimento de energia: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 V
Arquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
CAS Latência: 3, 4, 5, 6 e 7
Duração da explosão: 4 e 8
São transmitidos/recebidos dados com estroboscópios bidirecionais de dados diferenciais (DQS e DQS)
Alinhamento de borda com dados de leitura e centro com dados de gravação
DLL alinha transições DQ e DQS com o relógio
Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
Máscaras de dados (DM) para gravação de dados.
Os comandos inseridos em cada borda positiva do CLK, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas do DQS
A latência aditiva programável do CAS enviada é suportada para aumentar a eficiência do comando e do bus de dados
Leia Latência = Latência Aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
Ajuste de impedância off-chip-driver (OCD) e terminação on-die (ODT) para melhor qualidade do sinal
Função de pré-carregamento automático para rajadas de leitura e gravação
Modo de atualização automática e auto-atualização
Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
Escrever máscara de dados
Escrever Latência = Ler Latência - 1 (WL = RL - 1)
Interface: SSTL_18
Embalado em WBGA 84 Ball (8X12,5 mm)2), utilizando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 134-VFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.14 V ~ 1.95 V
Embalagem do produto do fornecedor A partir de 1 de janeiro de 2014:
Capacidade de memória 512M (16M x 32)
Tipo de memória SDRAM LPDDR2 móvel
Velocidade 400 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória móvel LPDDR2 IC 512Mb (16M x 32) Paralela 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM de alta velocidade, taxa de relógio até 533 MHz, quatro bancos internos
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Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

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Número do modelo :
W979H2KBVX2I
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão