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W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP Winbond Eletrônica
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP Winbond Eletrônica
Especificações
Número do modelo :
W29N01HVSINA
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :
Permanente
Formato da memória :
FLASH
Tecnologia :
FLASH - NAND (SLC)
Tamanho de memória :
1Gbit
Organização da memória :
128M x 8
Relação da memória :
Paralelo
Frequência de pulso de disparo :
-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :
25ns
Tempo de acesso :
25 ns
Voltagem - Fornecimento :
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :
48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor :
48-TSOP
Descrição

Detalhes do produto

Descrição geral

O W29C040 é uma Memória Flash de 4 megabits, 5 volts apenas CMOS, organizada como 512K ́8 bits.Não é necessária uma VPP de 12 voltsA arquitetura única da célula do W29C040 resulta em operações rápidas de gravação (apagar/programar) com consumo de corrente extremamente baixo (em comparação com outros produtos de memória flash de 5 volts comparáveis.) O dispositivo também pode ser apagado e programado utilizando programadores EPROM padrão.

Características

· Operações únicas de gravação (apagamento e programação) de 5 volts
· Operações rápidas de escrita de páginas
- 256 bytes por página
- Ciclo de gravação de páginas (apagar/programar): 5 mS (tipo)
- Tempo efetivo do ciclo de byte-write (apagar/programar): 19,5 mS
- Escrever dados protegidos por software opcional
· Operação rápida de eliminação de chips: 50 mS
· Dois blocos de arranque de 16 KB com bloqueio
· Ciclos de gravação de páginas (apagar/programar): 50K (normalmente)
· Tempo de acesso à leitura: 70/90/120 nS
· Retenção de dados durante dez anos
· Proteção de dados de software e hardware
· Baixo consumo de energia
- Corrente ativa: 25 mA (tipo)
- Corrente de espera: 20 mA (tipo)
·Relação automática de tempo de gravação (apagar/programar) com a geração interna de VPP
· Detecção de fim de gravação (apagar/programar)
- Um pouco de alternância.
- Pesquisa de dados
· Endereço e dados bloqueados
· Todas as entradas e saídas são directamente compatíveis com o TTL
· Pinouts padrão JEDEC de byte largo
· Pacotes disponíveis: DIP de 32 pines 600 mil, TSOP e PLCC

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 48-TFSOP (0,488", 12,40 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 48-TSOP (18.4x12)
Capacidade de memória 1G (128M x 8)
Tipo de memória FLASH - NAND (SLC)
Velocidade 25 ns
Memória de formato Flash

Descrições

Flash - NAND (SLC) Memória IC 1Gb (128M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I
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W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP Winbond Eletrônica

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Detalhes do produto
Número do modelo :
W29N01HVSINA
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
Em existência
Tempo de entrega :
3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :
Saco antiestático e caixa de papelão
Fornecedor de contacto
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP Winbond Eletrônica

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2005
Tipo de empresa :
Distribuidor/Wholesaler, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-3000000
Número de trabalhadores :
100~150
Nível de certificação :
Verified Supplier
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